Вышедшие номера
Солнечные элементы на основе антимонида галлия
Андреев В.М.1, Сорокина С.В.1, Тимошина Н.Х.1, Хвостиков В.П.1, Шварц М.З.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 августа 2008 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2009 г.

Методами жидкофазной эпитаксии и диффузии из газовой фазы созданы различные варианты структур фотоэлементов на основе GaSb, предназначенных для использования в каскадных преобразователях солнечного излучения. Исследован узкозонный фотоэлемент (GaSb) в составе тандема на основе комбинации полупроводников GaAs-GaSb (два p-n-перехода) и GaInP/GaAs-GaSb (три p-n-перехода). Значения максимальной эффективности фотоэлектрического преобразования в GaSb за широкозонными элементами составляют eta=6.5% (при кратности концентрирования солнечного излучения 275, для спектра AM1.5D, Low AOD). PACS: 73.50.Pz, 81.15.Lm, 84.60.Jt