Вышедшие номера
Фрактальный характер распределения неоднородностей потенциала поверхности n-GaAs(100)
Торхов Н.А.1, Божков В.Г.1
1Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 7 августа 2008 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2009 г.

С использованием метода Кельвина атомно-силовой микроскопии исследовалась фрактальная геометрия потенциального рельефа поверхности высоколегированной подложки n+-GaAs(100). Средние значения фрактальных размерностей Df потенциального рельефа, определенных методом триангуляции, методом горизонтальных сечений Dc и методом подобия Ds, достаточно близки друг к другу, что указывает на единую природу формирования фрактального рельефа потенциала поверхности. В целом полученные значения фрактальных размерностей говорят о том, что относительное расположение локальных неоднородностей потенциального рельефа высоколегированной подложки n+-GaAs(100) после химико-динамической полировки аналогично узору известной фрактальной кривой под названием "салфетка Серпинского". Было получено, что изменение фрактальных неоднородностей потенциала происходит не пропорционально квадрату изменения линейных размеров исследуемых участков, как в двумерном случае, а значительно медленнее - пропорционально изменению их линейных размеров в степени 2/Dc, где 1<Dc<2. PACS: 61.43.Hv, 63.35.Ct, 68.35.B-, 68.37.Ps, 68.47.Fg