"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование особенностей рабочих характеристик многокомпонентных гетероструктур и светоизлучающих диодов на основе AlInGaN
Рабинович О.И.1, Сушков В.П.1
1Государственный технологический университет "Московский институт стали и сплавов", Институт физико-химии материалов, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 22 мая 2008 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.

Проведено моделирование многокомпонентных гетероструктур на основе AlInGaN для использования их в светоизлучающих диодах. Определено влияние неоднородного распределения атомов индия в светоизлучающих "нанодиодах" на рабочие характеристики приборов в целом. Разработана модель, описывающая строение многокомпонентных AlInGaN-гетероструктур для излучающих диодов. PACS: 73.40.Kp, 78.60.Fi, 85.60.Jb
  1. V.F. Mymrin, K.A. Bulashevich, N.I. Podolskaya. Phys. Status Solidi C, 2, 2928 (2005)
  2. В.П. Сушков, О.И. Рабинович, А.Л. Архипов. В сб.: Тр. IV Росс.-яп. сем. "Перспективные технологии и оборудование для материаловедения, микро- и наноэлектроники", под ред. Л.В. Кожитова и В.К. Карпасюка (М., МГИУ, 2006) с. 311
  3. О.И. Рабинович, В.П. Сушков, А.В. Шишов. В сб.: 5-я Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы" (СПб., Изд-во Политехн. ун-та, 2007) с. 83
  4. D.W. Winston. Faculty of the Graduate School of the University of Colorado, 1996. 7.914 http://www.wemif.pwr.wroc.pl/zpp/laboratoria/labo\_opto/labo\_opto.php
  5. P.G. Eliseev, P. Perlin, J. Lee, M. Osinski. Appl. Phys. Lett., 71, 569 (1997)
  6. В.Е. Кудряшов, С.С. Мамакин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин. ФТП, 35 (7), 861 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.