Исследование особенностей рабочих характеристик многокомпонентных гетероструктур и светоизлучающих диодов на основе AlInGaN
Рабинович О.И.1, Сушков В.П.1
1Государственный технологический университет "Московский институт стали и сплавов", Институт физико-химии материалов, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 22 мая 2008 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.
Проведено моделирование многокомпонентных гетероструктур на основе AlInGaN для использования их в светоизлучающих диодах. Определено влияние неоднородного распределения атомов индия в светоизлучающих "нанодиодах" на рабочие характеристики приборов в целом. Разработана модель, описывающая строение многокомпонентных AlInGaN-гетероструктур для излучающих диодов. PACS: 73.40.Kp, 78.60.Fi, 85.60.Jb
- V.F. Mymrin, K.A. Bulashevich, N.I. Podolskaya. Phys. Status Solidi C, 2, 2928 (2005)
- В.П. Сушков, О.И. Рабинович, А.Л. Архипов. В сб.: Тр. IV Росс.-яп. сем. "Перспективные технологии и оборудование для материаловедения, микро- и наноэлектроники", под ред. Л.В. Кожитова и В.К. Карпасюка (М., МГИУ, 2006) с. 311
- О.И. Рабинович, В.П. Сушков, А.В. Шишов. В сб.: 5-я Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы" (СПб., Изд-во Политехн. ун-та, 2007) с. 83
- D.W. Winston. Faculty of the Graduate School of the University of Colorado, 1996. 7.914 http://www.wemif.pwr.wroc.pl/zpp/laboratoria/labo\_opto/labo\_opto.php
- P.G. Eliseev, P. Perlin, J. Lee, M. Osinski. Appl. Phys. Lett., 71, 569 (1997)
- В.Е. Кудряшов, С.С. Мамакин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин. ФТП, 35 (7), 861 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук