Дрейфовая скорость электронов в квантовой яме в сильных электрических полях
Мокеров В.Г.1, Васильевский И.С.1, Галиев Г.Б.1, Пожела Ю.2, Пожела К.2, Сужеделис А.2, Юцене В.2, Пашкевич Ч.2
1Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 16 июня 2008 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.
Экспериментально обнаружено повышение, по сравнению с максимальной дрейфовой скоростью электронов в объемных материалах, максимальной дрейфовой скорости в квантовых ямах гетероструктуры AlGaAs/GaAs различной конфигурации и псевдоморфной гетероструктуры Al0.36Ga0.64As/In0.15Ga0.85As. Установлено, что полевая зависимость дрейфовой скорости двумерных электронов в GaAs и In0.15Ga0.85As не имеет области отрицательной дифференциальной проводимости. Насыщение дрейфовой скорости в квантовой яме GaAs имеет место в полях, в несколько раз превышающих поле, соответствующее перебросу электронов Gamma-долины в L-долину в объемном GaAs. PACS: 72.20.Ht, 72.10.Di, 73.40.Kp, 73.63.Hs
- J.G. Ruch, G.S. Kino. Phys. Rev., 174, 921 (1968)
- G. Hill, P.N. Robson. Sol. St. Electron., 25, 589 (1982)
- W. Fawcett, A.D. Boardman, S. Swain. J. Phys. Chem. Sol., 31, 1963 (1970)
- J. Pozela, A. Reklaitis. Sol. St. Electron., 23, 927 (1980)
- Ю.К. Пожела, В.Г. Мокеров. ФТП, 40, 362 (2006)
- J. Pov zela, K. Pov zela, A. Suv ziedelis, V. Juciene, V. Petkun. Acta Phys. Polon. A, 113, 989 (2008).
- V.G. Mokerov, J. Pozela, K. Pozela, V. Juciene. Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors. Series: Springer Proc. in Physics, v. 110, ed. by M. Saraniti, U. Ravaioli (Berlin, Heidelberg, Springer, 2006) p. 245
- Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене, С. Балакаускас, В.П. Евтихиев, А.С. Школьник, Ю. Стораста, А. Мекис. ФТП, 41, 1460 (2007)
- Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене. ФТП, 41, 1093 (2007)
- J. Pov zela, K. Pov zela, V. Juciene. Lithuan. J. Phys., 47, 41 (2007)
- M. Tomizawa, K. Yokoyama, A. Yoshii. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-5, 464 (1984)
- M. Shur. GaAs Devices and Circuits (N.Y.--London, Plenum Press, 1986) p. 542
- M. Shur. GaAs Devices and Circuits (N.Y.--London, Plenum Press, 1986) p. 412
- M. Inoue, K. Ashida, T. Sugino, J. Shirafuji, Y. Inuishi. Jpn. J. Appl. Phys., 12, 932 (1973)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук