Вышедшие номера
Дрейфовая скорость электронов в квантовой яме в сильных электрических полях
Мокеров В.Г.1, Васильевский И.С.1, Галиев Г.Б.1, Пожела Ю.2, Пожела К.2, Сужеделис А.2, Юцене В.2, Пашкевич Ч.2
1Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 16 июня 2008 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.

Экспериментально обнаружено повышение, по сравнению с максимальной дрейфовой скоростью электронов в объемных материалах, максимальной дрейфовой скорости в квантовых ямах гетероструктуры AlGaAs/GaAs различной конфигурации и псевдоморфной гетероструктуры Al0.36Ga0.64As/In0.15Ga0.85As. Установлено, что полевая зависимость дрейфовой скорости двумерных электронов в GaAs и In0.15Ga0.85As не имеет области отрицательной дифференциальной проводимости. Насыщение дрейфовой скорости в квантовой яме GaAs имеет место в полях, в несколько раз превышающих поле, соответствующее перебросу электронов Gamma-долины в L-долину в объемном GaAs. PACS: 72.20.Ht, 72.10.Di, 73.40.Kp, 73.63.Hs