Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Туннельная рекомбинация в полупроводниковых структурах с наноразупорядочением
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 апреля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.
Предложена модель обобщенной генерационно-рекомбинационной теории применительно к полупроводникам с наноразупорядочением. Установлено, что применение развитой модели рекомбинации открыло возможности определить параметры, характеризующие локализацию электронных состояний в полупроводниках с различными атомным составов и характером позиционного упорядочения. Показано, что пространственные параметры этой локализации принадлежат нанометровому диапазону и по этой причине основным фактором переноса становится туннелирование носителей заряда, наряду с которым важную роль играют также электронные переходы между разрешенными зонами и состояниями внутри щели подвижности. На основании выполненного исследования сделан вывод о том, что только сочетание обоих факторов обеспечивает полное описание электронных процессов в структурах на полупроводниках с наноразупорядочением. PACS: 71.20.Nr, 71.23.An, 73.50.Gp
- С.В. Булярский, Н.С. Грушко. ЖЭТФ, 118, 1222 (2000)
- W. Shocley, W.T. Read. Phys. Rev., 87, 835 (1952)
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
- Ф.Т. Васько, В.И. Пипа. ЖЭТФ, 115, 1337 (1999)
- Ю.А. Алещенко, И.П. Казаков, В.В. Копаев, Ю.В. Копаев, Н.В. Корняков, А.Е. Тюрин. Письма ЖЭТФ, 69, 194 (1999)
- R. Rentzch, I.S. Slimac. Phys. Status Solidi A, 43, 231 (1977)
- R.A. Street. Adv. Phys., 30, 593 (1981)
- С.Д. Барановский, В.Г. Карпов, Б.И. Шкловский. ЖЭТФ, 94, 278 (1988)
- С.В. Булярский, Н.С. Грушко, А.И. Сомов, А.В. Лакалин. ФТП, 31, 1146 (1997)
- С.В. Булярский, Н.С. Грушко, А.В. Лакалин. ФТП, 32, 1193 (1998)
- С.В. Булярский, М.О. Воробьев, Н.С. Грушко, А.В. Лакалин. ФТП, 33, 733 (1999)
- С.В. Булярский, Н.С. Грушко, А.В. Лакалин. Зав. лаб., N 7, 25 (1997)
- A. Chakraborty, St. Keller, C. Meier, B.A. Haskell, S. Keller, P. Waltereit, S.P. DenBaars, S. Nakamura, J.S. Speck, U.K. Mishra. Appl. Phys. Lett., 86, 031 901 (2005)
- D.D. Nolte. J. Appl. Phys., 85, 6259 (1999)
- С.В. Булярский. Глубокие центры безызлучательной рекомбинации в светоизлучающих приборах (Кишинев, Штиинца, 1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
