Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Туннельная рекомбинация в полупроводниковых структурах с наноразупорядочением

Булярский С.В.¹, Рудь Ю.В.², Вострецова Л.Н.¹, Кагарманов А.С.¹, Трифонов О.А.¹

¹Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия Ulyanovsk State University, Ulyanovsk, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 15 апреля 2008 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.

PDF версия

Предложена модель обобщенной генерационно-рекомбинационной теории применительно к полупроводникам с наноразупорядочением. Установлено, что применение развитой модели рекомбинации открыло возможности определить параметры, характеризующие локализацию электронных состояний в полупроводниках с различными атомным составов и характером позиционного упорядочения. Показано, что пространственные параметры этой локализации принадлежат нанометровому диапазону и по этой причине основным фактором переноса становится туннелирование носителей заряда, наряду с которым важную роль играют также электронные переходы между разрешенными зонами и состояниями внутри щели подвижности. На основании выполненного исследования сделан вывод о том, что только сочетание обоих факторов обеспечивает полное описание электронных процессов в структурах на полупроводниках с наноразупорядочением. PACS: 71.20.Nr, 71.23.An, 73.50.Gp

С.В. Булярский, Н.С. Грушко. ЖЭТФ, 118, 1222 (2000)
W. Shocley, W.T. Read. Phys. Rev., 87, 835 (1952)
Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
Ф.Т. Васько, В.И. Пипа. ЖЭТФ, 115, 1337 (1999)
Ю.А. Алещенко, И.П. Казаков, В.В. Копаев, Ю.В. Копаев, Н.В. Корняков, А.Е. Тюрин. Письма ЖЭТФ, 69, 194 (1999)
R. Rentzch, I.S. Slimac. Phys. Status Solidi A, 43, 231 (1977)
R.A. Street. Adv. Phys., 30, 593 (1981)
С.Д. Барановский, В.Г. Карпов, Б.И. Шкловский. ЖЭТФ, 94, 278 (1988)
С.В. Булярский, Н.С. Грушко, А.И. Сомов, А.В. Лакалин. ФТП, 31, 1146 (1997)
С.В. Булярский, Н.С. Грушко, А.В. Лакалин. ФТП, 32, 1193 (1998)
С.В. Булярский, М.О. Воробьев, Н.С. Грушко, А.В. Лакалин. ФТП, 33, 733 (1999)
С.В. Булярский, Н.С. Грушко, А.В. Лакалин. Зав. лаб., N 7, 25 (1997)
A. Chakraborty, St. Keller, C. Meier, B.A. Haskell, S. Keller, P. Waltereit, S.P. DenBaars, S. Nakamura, J.S. Speck, U.K. Mishra. Appl. Phys. Lett., 86, 031 901 (2005)
D.D. Nolte. J. Appl. Phys., 85, 6259 (1999)
С.В. Булярский. Глубокие центры безызлучательной рекомбинации в светоизлучающих приборах (Кишинев, Штиинца, 1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель