Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Electrical and optical properties of InN with periodic metallic In insertions

Komissarova T.A.¹, Shubina T.V.¹, Jmerik V.N.¹, Ivanov S.V.¹, Ryabova L.I.², Khokhlov D.R.², Vasson A.³, Leymarie J.³, Araki T.⁴, Nanishi Y.⁴

¹Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
²Moscow State University, Moscow, Russia

³LASMEA-UMR CNRS-UBP, AUBIERE Cedex, France
⁴Ritsumeikan University, 1-1-1 Noji-Higashi, Kusatsu, Shiga 52, Japan

Поступила в редакцию: 23 апреля 2008 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

We report on a growth by molecular beam epitaxy of InN:In semiconductor/metal composite structures containing periodically inserted arrays of In clusters formed by intentional deposition of In metal films in a thickness range of 2-48 monolayers. It was found that indium insertions do not change markedly carrier mobility in the composites, that remains in the 1300-1600 cm²/(V·s) range, while carrier concentration increases with rising In amount. Spectra of thermally detected optical absorption do not exhibit a noticeable Burstein-Moss shift of a principal absorption edge with increasing the carrier concentration, but rather complicated modification of their shapes. PACS: 73.22.-f, 73.50.Dn, 81.05.Ea

B.E. Foutz, S.K. O'Leary, M.S. Shur, L.F. Eastman. J. Appl. Phys., 85, 7727 (1999)
J. Wu, W. Walukiewicz, K.M. Yu, W. Shan, J.W. Ager III, E.E. Haller, H. Lu, W.J. Schaff, W.K. Metzger, S. Kurtz. J. Appl. Phys., 94, 6477 (2003)
S. Keller, I. Benyaacov, S.P. Denvers, U.K. Mishra. Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors (Nagoya, Japan, 2000) IPAP conference series 1, p. 233
V.V. Mamutin, V.A. Vekshin, V.Yu. Davydov, V.V. Ratnikov, Yu. Kudriavtsev, B.Ya. Ber, V.V. Emstev, S.V. Ivanov. Phys. Status Solidi A, 176, 373 (1999)
A.G. Bhuiyan, A. Hashimoto, A. Yamamoto. J. Appl. Phys., 94 (5), 2779 (2003)
Y. Nanishi, Y. Saito, T. Yamaguchi. Jpn. J. Appl. Phys., 42, 2549 (2003)
S.P. Fu, T.J. Lin, W.S. Su, C.Y. Shieh, Y.F. Chen, C.A. Chang, N.C. Chen, P.H. Chang. J. Appl. Phys., 99, 126 102 (2006)
T. Ive, O. Brandt, M. Ramsteiner, M. Giehler, H. Kostial, K.H. Ploog. Appl. Phys. Lett., 84 (10), 1671 (2004)
G. Koblmuller, C.S. Gallinat, S. Bernardis, J.S. Speck, G.D. Chern, E.D. Readinger, H. Shen, M. Wraback. Appl. Phys. Lett., 89, 071 902 (2006)
L.F.G. Piper, T.D. Veal, C.F. McConville, H. Lui, W.J. Schaff. Appl. Phys. Lett., 88, 252 109 (2006)
V. Lebedev, V. Cimalla, T. Baumann, O. Ambacher, F.M. Morales, J.G. Lozano, D. Conzalez. J. Appl. Phys., 100, 094 903 (2006)
V.W.L. Chin, T.L. Tansley, T. Osotchan. J. Appl. Phys., 75 (1), 7365 (1994)
V.Yu. Davydov, A.A. Klochikhin. Semiconductors, 38, 897 (2004)
J. Wu, W. Walukiewicz, W. Shan, K.M. Yu, J. W. Ager III, E.E. Haller, H. Lu, W.J. Schaff. Phys. Rev. B, 66, 201 403 (2002)
A.L. Efros, B.L. Shklovskii. Electronic Properties of Doped Semiconductors (Springer, Heidelberg, 1989)
T. V. Shubina, M.M. Glazov, S.V. Ivanov, A. Vasson, J. Leymarie, B. Monemar, T. Araki, H. Naoi, Y. Nanishi. Phys. Status Solidi C, 4, 2474 (2007)
C. Stampfl, C.G. Van de Walle. Phys. Rev. B, 59, 5521 (1999)
K. Xu, A. Yoshikawa. Appl. Phys. Lett., 83 (2), 251 (2003)
S.V. Ivanov, T.V. Shubina, V.N. Jmerik, V.A. Vekshin, P.S. Kop'ev, B. Monemar. J. Ctyst. Growth, 269, 1 (2004)
T.P. Bartel, C. Kisselowski, P. Specht, T.V. Shubina, V.N. Jmerik, S.V. Ivanov. Appl. Phys. Lett., 91, 101 908 (2007)
T.V. Shubina, S.V. Ivanov, V.N. Jmerik, D.D. Solnyshkov, V.A. Vekshin, P.S. Kop'ev, A. Vasson, J. Leymarie, A. Kavokin, H. Amano, K. Shimono, A. Kasic, B. Monemar. Phys. Rev. Lett., 92 (11), 117 407 (2004); Phys. Rev. Lett., 95, 209 901 (2005)
W.A. Harrison. Phys. Rev., 147, 467 (1966)
A.I. Golovashkin, I.S. Levchenko, G.P. Motulevich, A.A. Shubin. ЖЭТФ, 51, 1622 (1963); Sov. Phys. JEPT, 24, 1093 (1967)
D.S. Plotnikov, T.V. Shubina, V.N. Jmerik, A.N. Semenov, S.V. Ivanov. Acta Phys. Polon. A, 112, 191 (2007)
R. Goldhahn, S. Shokhovets, V. Cimalla, L. Spiess, G. Ecke, O. Ambacher, J. Furthmuller, F. Bechstedt, H. Lu, W.J. Schaff. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 743, L.5.9.1 (2003)
J. Furthmuller, P.H. Hahn, F. Fuchs, F. Bechstedt. Phys. Rev. B, 72, 205 106 (2005).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель