"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Микроструктура и оптические свойства пленок In2S3, полученных термическим испарением
Гончарова О.В.1, Гременок В.Ф.2
1Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
2Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 17 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2008 г.

Представлены результаты исследования влияния микроструктуры на оптические свойства пленок In2S3, получаемых методом термического вакуумного напыления, в зависимости от их толщины. Приведены и обсуждаются данные атомно-силовой микроскопии слоев, изготовленных в идентичных технологических режимах, но обладающих различными значениями спектрального положения края поглощения. Изменение оптической ширины запрещенной зоны от 2.0 до 3.6 эВ с толщиной пленок In2S3, уменьшающейся от 450-800 до 30-50 нм, было обнаружено и объяснено изменением концентрации гранул с определенным размером и микроструктурой. PACS: 78.66.Jg, 78.67.Bf, 81.07.Wx, 81.40.Tv, 61.43.Bn
  1. D. Hariskos, S. Spiering, M. Powalla. Thin Sol. Films, 480-- 481, 99 (2005)
  2. М.А. Contreras, K. Ramanathan, J. AbuShanma, F. Hasoon, D.L. Young, B. Egaas, R. Noufi. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 13, 209 (2005)
  3. А.М. Поликанин, О.В. Гончарова, С.А. Сергиеня, В.Ф. Гременок, В.Б. Залесский. ЖПС, 71, 683 (2004)
  4. А.П. Войтович, О.В. Гончарова, В.С. Калинов. ЖПС, 72, 287 (2005)
  5. A. Strohm, L. Eisenmann, R.K. Gebhardt, A. Harding, T. Sehlfizer, D. Abou-Ras, H.W. Schock. Thin Sol. Films, 480-- 481, 162 (2005)
  6. H. Li, R. Zhu, X. Li, Z. Wang, B. Yang. Sol. St. Commun., 144, 445 (2007)
  7. О.В. Гончарова, В.Ф. Гременок, В.М. Кравченко, А.В. Кравченко, О.В. Ермаков, В.Б. Залесский. Teз. докл. 5-й Межд. конф. по аморфным и поликристаллическим полупроводникам (Россия, СПб., 2006). р. 271
  8. M.M. El-Nahass, B.A. Khalifa, H.S. Soliman, M.A.M. Seyam. Thin Sol. Films, 515, 1796 (2006)
  9. O. Goncharova, V. Gremenok. Moldavian J. Phys. Sci., 5, 342 (2006)
  10. О.В. Гончарова, В.Ф. Гременок, С.А. Чижик. Сб. докл. 7-го Межд. сем. по методологич. аспектам сканирующей зондовой микроскопии (Минск, Белоруссия, 2006) р. 102
  11. C. Guillen, T. Gaillen, T. Garcia, J. Herrero, M.T. Gutierrez, F. Briones. Thin Sol. Films, 451-- 452, 112 (2004)
  12. M. Calixto-Rodriguez, A. Tiburcio-Silver, A. Ortiz, A. Sanchez-Juarez. Thin Sol. Films, 480-- 481, 133 (2005)
  13. P. Sangpour, O. Akhavan, A.Z. Moshfegh, M. Roozbehi. Appl. Surf. Sci., 254, 286 (2007)
  14. L. Chen, W. Lan, R. Lin, H. Shen, H. Chen. Appl. Surf. Sci., 252, 8438 (2006)
  15. T. Asikainen, N. Ritala, N. Leskela. Appl. Surf. Sci., 82-- 83, 122 (1994)
  16. C. Guillen. Phys. Status. Solidi A, 204, 3333 (2007)
  17. N. Barreau, J.C. Bernede, S. Marsillac, A. Mokrani. J. Cryst. Growth, 235, 439 (2002)
  18. P. Gao, Y. Xie, Sh. Chen, M. Zhou. Nanotechnology, 17, 320 (2006)
  19. S. Gorai, S. Chaudhuri. Mater. Sci. Eng., B126, 97 (2006)
  20. M. Oztas, M. Bedir, Z. Ozturk, D. Korkmaz, S. Sur. Chin. Phys. Lett., 23, 1610 (2006)
  21. О.В. Гончарова, Ф.В. Карпушко, Г.В. Синицын. ЖТФ, 53, 1858 (1983)
  22. О.В. Гончарова, Ф.В. Карпушко, Г.В. Синицын. ФТП, 20, 1750 (1986)
  23. O. Goncharova, V. Gremenok. Advace Programme CLEO/Europe-IQEC 2007 (Munich, Germany, 2007) p. 73
  24. R. Garkova, G. Volksch, C. Russel. J. Non-Cryst. Sol., 352, 5265 (2006)
  25. Y. Maruyama, M. Futamata. Chem. Phys. Lett., 448, 93 (2007)
  26. A.R. Botello--Mendez, M.T. Martinez-Martinez, F. Lopez--Urias, M. Terrones, H. Terrones. Chem. Phys. Lett., 448, 258 (2007)
  27. N.M. Gasanly, A. Aydinli. Sol. St. Commun., 101, 797 (1997)
  28. Y. Amira, K. Bouabid, A. Ihlal, A. Outzourhit, E.L. Ameziane, G. Nouet. Proc. 21st Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. (Dresden, Germany, 2006) p. 1881

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.