Вышедшие номера
Рост и электрофизические свойства гетероструктур Si/Ge-на-изоляторе, сформированных методом ионной имплантации и последующего водородного переноса
Тысченко И.Е.1, Фёльсков М.2, Черков А.Г.1, Попов В.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт ионно-лучевой физики, Исследовательский центр Россендорф, Д- Дрезден, Германия
Поступила в редакцию: 4 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2008 г.

Исследованы закономерности эндотаксиального роста промежуточных слоев германия на границе сращивания структуры кремний-на-изоляторе из имплантированного ионами Ge+ захороненного слоя SiO2 в зависимости от температуры отжига. На основе результатов высокоразрешающей микроскопии и термодинамического анализа системы Si/Ge/SiO2 сделано предположение о том, что эндотаксиальный рост слоя Ge происходит через образование расплава за счет ускоренной сегрегации и накопления Ge на границе Si/SiO2. Изучено влияние германия на границе сращивания на холловскую подвижность дырок в слоях кремния нанометровой толщины. Обнаружено, что структуры с толщиной отсеченного слоя кремния 3-20 нм, содержащие германий, обладают подвижностью дырок, в 2-3 раза превышающей подвижность дырок в соответствующих структурах кремний-на-изоляторе без германия. PACS: 61.72.Ww, 68.55.-a, 73.40.Ty, 73.50.Dn, 81.20.Vj, 81.40.Ef