"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Кажущаяся низкочастотная зарядовая емкость полупроводникового бора
Цагарейшвили О.А.1, Чхартишвили Л.С.1, Габуния Д.Л.1
1Институт металлургии и материаловедения им. Ф.Н. Тавадзе, Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 15 января 2008 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2008 г.

Низкочастотная зарядовая емкость образцов полупроводникового бора оказывается в десятки раз больше по сравнению с геометрическим значением, рассчитываемым по размерам образца в предположении однородности материала. Объяснение наблюдаемому ступенчатому поведению температурной зависимости емкости можно найти на основе обобщенной барьерной модели неоднородного полупроводника, в рамках ее трехслойного варианта. Представляется, что планарные дефекты, характерные для реальных кристаллов бора, создают упругие напряжения, достаточно сильные для локального снижения проводимости. Кроме того, на границах подобных включений с относительно высокопроводящей матрицей также должны возникать низкопроводящие барьерные прослойки. PACS: 72.80.Cw, 77.22.Ch, 77.22.Gm, 61.72.Nn, 72.20.Fr
  1. T.S. Moss. Photoconductivity in the elements (London, Butterworth, 1952)
  2. W.G. Spitzer, W. Kaiser. Phys. Rev. Lett., 1, 230 (1958)
  3. W. Neft, K. Seiler. In: Boron: Preparation, Properties and Applications, ed. by G.K. Gaule (N.Y., Plenum Press, 1965) p. 143
  4. О.А. Голикова, М. Жубанов, Д.Л. Мирлин. ФТТ, 11, 1655 (1969)
  5. Р.Г. Яровая, К.П. Цомая, И.Н. Шкляровский, Д.Л. Габуния. ФТТ, 16, 3522 (1974)
  6. N. Morita, A. Yamamoto. Jpn. J. Appl. Phys., 14, 825 (1975)
  7. W.P. Lonc. J. Less-Comm. Met., 82, 149 (1981)
  8. Г.В. Цагарейшвили, Г.Ш. Дарсавелидзе, Ф.Н. Тавадзе, Р.А. Хачапуридзе. В сб.: Механизмы внутреннего трения в полупроводниках и металлических материалах, под ред. Ф.Н. Тавадзе, В.С. Постникова и Л.К. Гордиенко (М., Наука, 1972) с. 24
  9. Г.Ф. Тавадзе, Р.А. Хачапуридзе, Г.Ш. Дарсавелидзе, Г.В. Цагарейшвили, Ф.Н. Тавадзе. В сб.: Нитевидные кристаллы и тонкие пленки. Ч. II: Тонкие пленки (Воронеж, Изд-во ВПИ, 1975) с. 228
  10. Р.А. Хачапуридзе, Г.Ш. Дарсавелидзе, Г.В. Цагарейшвили, Г.Ф. Тавадзе. Сообщ. АНГССР, 89, 641 (1978)
  11. F.N. Tavadze, R.A. Khachapuridze, G.Sh. Darsavelidze, G.V. Tsagareishvili, G.F. Tavadze. J. Less-Comm. Met., 67, 269 (1979)
  12. L.S. Chkhartishvili, G.P. Tsiskarishvili, O.A. Tsagareshvili, G.G. Gvelesiani, J.N. Tsikaridze. In: Proc. 9th Int. Symp. Boron, Borides \& Rel. Comp., ed by H. Werheit (Duisburg, Universitat Duisburg Gesamthochschule, 1987) p. 360
  13. Л.С. Чхартишвили, О.А. Цагарейшвили, Р.А. Хачапуридзе, Т.З. Мухранели. Матер. докл. 7-й Респ. науч.-техн. конф. мол. учен., под ред. Т.А. Бацикадзе (Тбилиси, Мецниереба, 1987) с. 3
  14. Т.З. Мухранели, Г.А. Мазмишвили. Матер. докл. 6-й Респ. науч.-техн. конф. мол. учен., под ред. Дж.А. Шарашенидзе (Тбилиси, Мецниереба, 1985) с. 16
  15. W.P. Lonc. J. Less-Comm. Met., 47, 97 (1976)
  16. M. Prudenziati, A. Lanzi, G. Majni, G. Malavasi. Phys. Status Solidi A, 18, 651 (1973)
  17. L. Chkhartishvili. Trans. Georg. Tech. Univ., 466 (4), 64 (2007)
  18. T.A. Pagava, L.S. Chkhartishvili. Ukr. J. Phys., 49, 1006 (2004)
  19. Е.В. Кучис. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования (М., Радио и связь, 1990)
  20. A.J. Nadolny, J.W. Ostrowski, M.Z. Prezegalinska--Mieszkowska. Phys. Status Solidi B, 16, K133 (1966)
  21. K.B. Gulyamov, A. Muinov. J. Less-Comm. Met., 67, 557 (1979)
  22. О.А. Голикова, М.И. Усманова, А.С. Умаров, Т. Хомидов, В.А. Фейгельман. ФТП, 10, 143 (1976)
  23. О.А. Голикова, А.С. Умаров. Изв. АН УзССР. Сер. физ.-мат. наук, N 2, 37 (1982)
  24. Ф.Н. Тавадзе, Д.Л. Габуния, Г.В. Цагарейшвили, А.Г. Хведелидзе. Неорг. матер., 14, 665 (1978)
  25. Д.Л. Габуния, А.С. Умаров, М.М. Усманова. Неорг. матер., 17, 252 (1981)
  26. M. Prudenziati. In: Boron \& Refractory Borides, ed. by V.I. Matkovich (Berlin, Springer Verlag, 1977) p. 241
  27. Ф.Н. Тавадзе, Д.Л. Габуния. Изв. АНГССР. Сер. хим., 3, 186 (1977)
  28. Р.Г. Яровая, К.П. Цомая, Д.Л. Габуния. Н.В. Доай. ЖПС, 29, 491 (1978)
  29. B. Pistoulet, J.L. Robert, J.M. Dusseau, F. Roche, P. Cirard, L. Ensuque. J. Less-Comm. Met., 67, 131 (1979)
  30. Т.Ш. Бадзагуа, М.В. Власова, Д.Л. Габуния, Н.Г. Каказей. ПМ, N 1, 60 (1983)
  31. F.N. Tavadze, D.L. Gabunia, A.G. Khvedelidze. J. Less-Comm. Met., 67, 101 (1979)
  32. Г.В. Пантелеева, А.С. Лютович. Неорг. матер., 4, 2074 (1968)
  33. W.H. Dietz, H.A. Herrmann. Electron. Technol., 3, 195 (1970)
  34. Ф.Н. Тавадзе, Г.В. Цагарейшвили, Д.Л. Габуния, А.Г. Хведелидзе, Г.М. Дугладзе, Н.М. Жгенти. В сб.: Исследование материалов для новой техники, под ред. Ф.Н. Тавадзе и др. (Тбилиси, Мецниереба, 1971) с. 67
  35. G.M. Dugladze, A.G. Khvedelidze, J.V. Lominadze, L.S. Chkhartishvili. Abstracts 8th Int. Symp. Boron. Borides, Carbides, Nitrides \& Rel. Comp. (Tbilisi, USSR, 1984) p. 140
  36. Г.В. Цагарейшвили, М.Е. Антадзе, Ф.Н. Тавадзе. Получение и структура бора (Тбилиси, Мецниереба, 1991)
  37. Г.В. Цагарейшвили, Д.Ш. Цагарейшвили. Термические и упругие свойства бора (Тбилиси, Мецниереба, 1990)
  38. B.V. Umarov, M.A. Tashmirsaev. J. Less-Comm. Met., 117, 199 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.