"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности влияния электронной и нейтронной радиации на фотоэлектрические свойства специально не легированных и легированных Cu монокристаллов CdS
Давидюк Г.Е.1, Божко В.В.1, Булатецкая Л.В.1
1Волынский национальный университет им. Л. Украинки, Луцк, Украина
Поступила в редакцию: 14 января 2008 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.

Исследовались электрические, фотоэлектрические и магнитные свойства нелегированных и легированных медью (NCu~ 1018 см-3) монокристаллов CdS, облученных электронами (с E=1.2 МэВ, Phi=2· 1017 см-2) и нейтронами (с E=2 МэВ, Phi=1018 см-2). Показано, что ответственными за примесную фотопроводимость и парамагнитные свойства являются донорно-акцепторные пары, частности в легированных образцах --- CuCd--D+, которые разрушаются при облучении и вновь формируются с течением времени (как вторичные радиационные дефекты) в облученных образцах. Установлено, что основная доля парамагнитных центров и донорно-акцепторных пар располагается в приповерхностной области кристалла. Подтверждено, что крупные структурные дефекты, кластеры дефектов, образованные нейтронной радиацией, являются эффективными стоками для атомов меди. Изучены особенности изохронного отжига парамагнитных центров и донорно-акцепторных пар, ответственных за изменение магнитных параметров, спектров фотопроводимости облученных нелегированных и легированных Cu образцов CdS. PACS: 78.55.Et, 73.50.Pz, 61.80.-x, 61.82.Fk, 81.40.Wx
  1. Г.Е. Давидюк, Н.С. Богданюк, В.Т. Мак, В.В. Божко. Фотоэлектроника (Одесса, Изд-во Одес. ун-та), 3, 7 (1990)
  2. Б.В. Павлик, М.В. Лишак. УФЖ, 51 (3), 275 (2006)
  3. В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М.: Радио и связь, 1981) с. 211
  4. Точечные дефекты в твердых телах, под ред. Б.И. Болтакса, Т.В. Машовец и А.Н. Орлова (М.: Мир, 1979) с. 221
  5. Г.Е. Давидюк, В.С. Манжара, Н.С. Богданюк, А.П. Шаварова, В.В. Булатецкий. ФТП, 31 (4), 390 (1997)
  6. D.C. Look, I.M. Meese. Rad. Eff., 22(1), 229 (1974)
  7. Оптические свойства полупроводников. Справочник, под ред. В.И. Гавриленко, А.М. Грехова, Д.В. Корбутяк и В.Г. Литовченко (Киев, Наук. думка, 1987) с. 388
  8. А.П. Галушка, Г.Е. Давидюк, В.Т. Мак, В.И. Куц, Н.С. Богданюк. ФТП, 9 (11), 2174 (1975)
  9. В.Е. Лашкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. Неравновесные процессы в фотопроводниках (Киев, Наук. думка, 1981) с. 12--15, 38--40, 179--203
  10. В.М. Цмоць, Г.Е. Давидюк, Н.С. Богданюк, В.В. Божко, М.И. Шубак, Л.П. Дякун. Изв. вузов. Физика, N 5, 5 (1988)
  11. Р. Бьюб. Фотопроводимость твердых тел (М., Иностр. лит., 1962) с. 199
  12. Г.Е. Давидюк, А.П. Галушка, В.С. Манжара, Н.С. Богданюк. Изв. вузов. Физика, N 7, 37 (1980)
  13. Г.Е. Давидюк, Н.С. Богданюк, А.П. Шаварова. ФТП, 29 (2), 375 (1995)
  14. И.Б. Ермолович, Г.И. Матвиевская, Г.С. Пекарь, М.К. Шейнкман. УФЖ, 18 (5), 729 (1973)
  15. N.E. Korsunskaya, I.V. Markevich, T.V. Torchinskaya, M.K. Seikman. Phys. Status Solidi A, 60 (2), 565 (1980)
  16. Г.Е. Давидюк, Н.С. Богданюк, В.В. Божко. Изв. вузов. Физика, N 1, 50 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.