"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Высокочувствительный субмиллиметровый фотоприемник на основе InSb
Васильев Ю.Б.1, Усикова А.А.1, Ильинская Н.Д.1, Петров П.В.1, Иванов Ю.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.

Исследована субмиллиметровая фотопроводимость электронного газа в объемном InSb. Предложена новая конструкция InSb-фотоприемника в виде плоских спиралей, в которых соотношение длины полосы к ее ширине составляет 2 порядка. Такая конструкция позволяет создавать очень чувствительные приемники с возможностью перестройки пика чувствительности магнитным полем. PACS: 71.55.Eq, 72.40.+w, 71.70.Di
  1. E.H. Putley. Infrared detectors, ed. by R.D. Hudson, J.W. Hudson (Halsted Press, 1975) p. 30
  2. E.H. Putley. Appl. Optic, 4, 649 (1965).
  3. А.Н. Выставкин, В.Н. Губанков, В.Н. Листвин, В.В. Мигулин. ФТП, 1, 844 (1967)
  4. Ю.Л. Иванов, Ю.Б. Васильев. Письма в ЖТФ, 10, 613 (1983)
  5. E. Gornik. Lecture Notes in Physics (Springer-Verlag, 1982) v. 177, p. 248

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.