"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Роль флуктуаций потенциала в энергетической структуре квантовых ям GaAs/AlGaAs с A+-центрами
Петров П.В.1, Иванов Ю.Л.1, Михрин В.С.1, Жуков А.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.

Проанализирована трансформация спектров фотолюминесценции, связанной с A+-центрами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs при изменении степени накачки и температуры. Показано, что в энергетической структуре системы квантовых ям GaAs/AlGaAs с A+-центрами существенную роль играют флуктуации электростатического потенциала, которые приводят к перераспределению заряда в пространстве и образованию свободных дырок. PACS: 68.65.Fg, 73.21.Fg
  1. N.V. Agrinskaya, Yu.L. Ivanov, P.A. Petrov, V.M. Ustinov. Sol. St. Commun., 126 (7), 369 (2003)
  2. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  3. П.В. Петров, Ю.Л. Иванов, А.Е. Жуков. ФТП, 41 (7), 850 (2007)
  4. Н.В. Агринская, Ю.Л. Иванов, В.М. Устинов, Д.А. Полоскин. ФТП, 35 (5), 571 (2001)
  5. Н.С. Аверкиев, Ю.Л. Иванов, А.А.Красивичев, П.В. Петров, Н.И. Саблина, В.Е. Седов. ФТП, 42 (3), 322 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.