"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Проявление в функции Гоффмана особенностей генерационно-рекомбинационных свойств бистабильных дефектов в полупроводниках
Никитина А.Г.1, Зуев В.В.1
1Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 20 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.

Теоретически исследованы особенности температурной зависимости концентрации свободных основных носителей в полупроводниках при температурной разрядке бистабильных центров различной электрической активности: двухуровневых акцепторов, двухуровневых доноров, амфотерных центров. Прослежено влияние на разрядку уровня компенсации и отношения величин энергий связи одного и двух электронов на центре. Результаты выражены через особенности поведения функции Гоффмана. PACS: 61.72.Bb, 61.80.Az, 61.72.Ji, 71.55.-i
  1. A. Rose. Phys. Rev., 97, 1538 (1955)
  2. H.J. Hoffman. Appl. Phys. A, 19, 307 (1979)
  3. H.J. Hoffman. Phys. Rev. Lett., 45, 1733 (1980)
  4. H.J. Hoffman. Phys. Rev. B, 23, 5603 (1981)
  5. H.J. Hoffman. J. Appl. Phys., 52, 4070 (1981)
  6. H.J. Hoffman. Appl. Phys. A, 27, 39 (1982)
  7. H.J. Hoffman, H. Nakayama, T. Nishino, Y. Hamakawa. Appl. Phys. A, 33, 47 (1984)
  8. Л.Ф. Макаренко, В.П. Маркевич, Л.И. Мурин. ФТП, 19, 1935 (1985)
  9. V.V. Litvinov, G.V. Palchik, V.J. Urenev. Phys. Status Solidi A, 108, 311 (1988)
  10. Ю.М. Покотило, А.Н. Петух, В.В. Литвинов, В.Г. Цвырко. ФТП, 39, 802 (2005)
  11. А.Г. Никитина, В.В. Зуев. ФТП, 41, 549 (2007)
  12. А.Г. Никитина, В.В. Зуев. ФТП, 42, 141 (2008)
  13. А.Г. Гончарова, В.В. Зуев. ФТП, 25, 1249 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.