Проявление в функции Гоффмана особенностей генерационно-рекомбинационных свойств бистабильных дефектов в полупроводниках
Никитина А.Г.1, Зуев В.В.1
1Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 20 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.
Теоретически исследованы особенности температурной зависимости концентрации свободных основных носителей в полупроводниках при температурной разрядке бистабильных центров различной электрической активности: двухуровневых акцепторов, двухуровневых доноров, амфотерных центров. Прослежено влияние на разрядку уровня компенсации и отношения величин энергий связи одного и двух электронов на центре. Результаты выражены через особенности поведения функции Гоффмана. PACS: 61.72.Bb, 61.80.Az, 61.72.Ji, 71.55.-i
- A. Rose. Phys. Rev., 97, 1538 (1955)
- H.J. Hoffman. Appl. Phys. A, 19, 307 (1979)
- H.J. Hoffman. Phys. Rev. Lett., 45, 1733 (1980)
- H.J. Hoffman. Phys. Rev. B, 23, 5603 (1981)
- H.J. Hoffman. J. Appl. Phys., 52, 4070 (1981)
- H.J. Hoffman. Appl. Phys. A, 27, 39 (1982)
- H.J. Hoffman, H. Nakayama, T. Nishino, Y. Hamakawa. Appl. Phys. A, 33, 47 (1984)
- Л.Ф. Макаренко, В.П. Маркевич, Л.И. Мурин. ФТП, 19, 1935 (1985)
- V.V. Litvinov, G.V. Palchik, V.J. Urenev. Phys. Status Solidi A, 108, 311 (1988)
- Ю.М. Покотило, А.Н. Петух, В.В. Литвинов, В.Г. Цвырко. ФТП, 39, 802 (2005)
- А.Г. Никитина, В.В. Зуев. ФТП, 41, 549 (2007)
- А.Г. Никитина, В.В. Зуев. ФТП, 42, 141 (2008)
- А.Г. Гончарова, В.В. Зуев. ФТП, 25, 1249 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук