"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Автосолитоны в бистабильной системе кремния с глубокими примесными уровнями
Мусаев А.М.1
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 31 июля 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.

Экспериментально обнаружены и исследованы автосолитоны в бистабильной системе кремния, связанные с термополевой ионизацией глубоких акцепторных уровней индия при температуре 77 K. Показано, что в рассмотренной модели автосолитонов положительная обратная связь по активатору связана с возрастающей зависимостю температуры решетки с ростом концентрации дырок, а демпфирующая роль ингибитора связана с уменьшением температуры носителей заряда при их рассеянии на фононах, что приводит к уменьшению мощности потерь и к ограничению температуры решетки в областях автосолитона. PACS: 72.20.Ht, 72.80.Cw
  1. Б.С. Кернер, В.В. Осипов. Автосолитоны (М., Наука, 1991)
  2. Б.С. Кернер, В.Ф. Синкевич. Письма ЖЭТФ, 36 (10), 359 (1982)
  3. В.Н. Ващенко, Б.С. Кернер, В.В. Осипов, В.Ф. Синкевич. ФТП, 24 (10), 1705 (1990)
  4. А.М. Мусаев. ФТП, 33 (10), 1183 (1999)
  5. А.М. Мусаев. ФТП, 38 (9), 1030 (2004)
  6. С.П. Кальвенас. Лит. физ. сб., XXII (1), 91 (1982)
  7. А. Матулис. А. Ченис. Лит. физ. сб., XIX (3), 363 (1979)
  8. А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.