"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Памяти Людмилы Германовны Лаврентьевой
Выставление онлайн: 20 августа 2008 г.
[!t] 30 мая 2008 г. после тяжелой болезни ушла из жизни Людмила Германовна Лаврентьева - замечательный ученый, доктор физико-математических наук, профессор. Л. Г. Лаврентьева в 1953 г. окончила физический факультет Томского государственного университета, в 1960 г. защитила кандидатскую диссертацию, а в 1982 г. докторскую. С 1961 г. Л. Г. Лаврентьева работала в Сибирском физико-техническом институте (СФТИ) им. академика В. Д. Кузнецова, где в 1973 г. ею была создана лаборатория эпитаксиальных структур. Основное научное направление - эпитаксия арсенида галлия, материала, заниматься которым в СФТИ начали по рекомендации А. Ф. Иоффе и Д. Н. Наследова. Впервые в СССР Л. Г. Лаврентьевой были получены эпитаксиальные слои арсенида галлия (1961 г.), предложено использовать вицинальные поверхности подложек для производства высококачественных слоев (1964 г.), проведен комплекс исследований кинетики и механизмов роста эпитаксиальных пленок в условиях газофазной эпитаксии, выполнено моделирование процессов роста, изучены физические особенности эпитаксиальных слоев. Л. Г. Лаврентьева внесла существенный вклад в материаловедение полупроводников и, в частности, в научное направление "Физические основы газофазной эпитаксии полупроводников группы АIIIВV". Научные труды Л. Г. Лаврентьевой в области эпитаксии полупроводников широко известны в России и за рубежом. Она является автором и соавтором более 230 научных статей, в том числе заказных и обзорных. Наряду с научной деятельностью много внимания Людмила Германовна уделяла педагогической работе в Томском государственном университете. С 1982 г. под её руководством была организована подготовка специалистов по физике полупроводников, а в 1991 г. была создана кафедра физики полупроводников на физическом факультете университета, которую она возглавляла до 2002 г. В 1998 г. при её непосредственном участии был создан филиал кафедры в Институте физики полупроводников СО РАН (г. Новосибирск). Л. Г. Лаврентьева являлась научным руководителем и консультантом аспирантов, соискателей и докторантов. Под ее руководством защищены 12 кандидатских диссертаций, а два ее аспиранта стали докторами наук. В течение многих лет Л. Г. Лаврентьева являлась членом редколлегий журналов "Известия вузов. Физика", "Известия вузов. Материалы электронной техники", членом Научных советов РАН "Рост кристаллов" и "Физико-химические основы материаловедения полупроводников", членом Азиатско-Тихоокеанской академии материалов, действительным членом РАЕН, почетным работником высшего профессионального образования России, награждена почетным знаком Минвуза СССР "За отличные успехи в работе". Она активно работала в советах по защите докторских и кандидатских диссертаций в Томском государственном университете. Энергия, преданность науке, способность подбирать сотрудников при формировании коллектива, широкий научный кругозор, доброжелательность и готовность оказать профессиональную помощь создавали Л. Г. Лаврентьевой высокий авторитет и уважение среди коллег. Талантливый ученый и организатор Людмила Германовна Лаврентьева останется в памяти всех, кто ее знал. А. Л. Асеев, Ф. А. Кузнецов, И. Г. Неизвестный, О. П. Пчеляков, Г. В. Майер, В. М. Кузнецов, М. Г. Мильвидский, Б. Г. Захаров,Г. Е. Дунаевский, А. И. Потекаев, А. П. Вяткин, О. П. Толбанов, В. Н. Брудный, И. В. Ивонин, М. Д. Вилисова, В. Г. Гермогенов, М. Я. Дашевский, С. С. Хлудков Редколлегия журнала << Физика и техника полупроводников>>
  1. L. Pelaz, L.A. Marques, J. Barbolla. J. Appl. Phys., 96, 5947 (2004)
  2. L.A. Marques, L. Pelaz, J. Hernandez, J. Barbolla. Phys. Rev. B, 64, 045 214 (2001).
  3. D.K. Yu, R.Q. Zhang, S.T. Lee. Phys. Rev., 65, 245 417 (2002)
  4. A. Cheung, G. de M. Azevedo, C.J. Glover, D.J. Liewellyn, R.G. Ellimann, G.J. Foran, M.C. Ridgway. Appl. Phys. Lett., 84, 278 (2004)
  5. J.C. Barbour, D. Dimos, T.R. Guillinger, M.J. Kelly. Nanotechnology, 3, 202 (1992)
  6. L.G. Jacobsohn, B.L. Bennett, D.W. Cooke, R.E. Muenchausen, M. Nastasi. J. Appl. Phys., 97, 033 528 (2005)
  7. G.A. Kachurin, M.-O. Ruault, A.K. Gutakovsky, O. Kaitasov, S.G. Yanovskaya, K.S. Zhuravlev, H. Bernas. Nucl. Instr. Meth. B, 147, 356 (1999)
  8. Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, M.-O. Ruault, А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев, O. Kaitasov, H. Bernas. ФТП, 34, 1004 (2000)
  9. D. Pacifici, E.C. Moreira, G. Franzo, V. Martorino, F. Priolo, F. Iacona. Phys. Rev. B, 65, 144 109 (2002)
  10. A.L. Tchebotareva, M.J.A. de Dood, J.S. Bitten, H.A. Atwater, A. Polman. J. Luminesc., 114, 137 (2005)
  11. Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, В.А. Володин, Д.М. Марин, Д.И. Тетельбаум, H. Becker. ФТП, 40, 75 (2006)
  12. S. Cheylan, N. Langford, R.G. Elliman. Nucl. Instr. Meth. B, 166-- 167, 851 (2000)
  13. Y.Q. Wang, R. Smirani, G.G. Ross. Appl. Phys. Lett., 86, 221 920 (2005)
  14. M. Tang, L. Colombo, J. Zhu, T. Diaz de la Rubio. Phys. Rev. B, 55, 14 279 (1997)
  15. T. Motooka. Phys. Rev. B, 49, 16 367 (1994)
  16. D.M. Stock, B. Weber, K. Gaertner. Phys. Rev. B, 61, 8150 (2000).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.