"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Релаксация возбужденных состояний доноров в кремнии с излучением междолинных фононов
Цыпленков В.В.1, Демидов Е.В.1, Ковалевский К.А.1, Шастин В.Н.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 7 ноября 2007 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2008 г.

Анализируется процесс низкотемпературной релаксации возбужденных состояний доноров V группы в Si, обусловленный взаимодействием связанных кулоновским центром электронов с междолинными фононами. Вычислена скорость перехода из состояния 2p0 в группу состояний 1s(E,T2) при излучении междолинных акустичесих LA-g- и TA-f-фононов для доноров фосфора, сурьмы, мышьяка и висмута. Показано, что TA-f-фононы вносят существенный вклад в безызлучательный распад состояния 2p0, которое определяет стимулированное инфракрасное излучение доноров фосфора и сурьмы в кремнии. PACS: 81.05.Cy, 63.20.Mt, 78.30.Am
  1. S.G. Pavlov, R.Kh. Zhukavin, E.E. Orlova, V.N. Shastin, A.V. Kirsanov, H.-W. Hubers, K. Auen, H. Riemann. Phys. Rev. Lett., 84, 5220 (2000)
  2. S.G. Pavlov, H.-W. Hubers, H. Riemann, R.Kh. Zhukavin, E.E. Orlova, V.N. Shastin. J. Appl. Phys., 92, 5632 (2002)
  3. S.G. Pavlov, H.-W. Hubers, M.H. Rummeli, R.Kh. Zhukavin, E.E. Orlova, V.N. Shastin, H. Riemann. Appl. Phys. Lett., 80, 4717 (2002)
  4. H.-W. Hubers, S.G. Pavlov, H. Riemann, N.V. Abrosimov, R.Kh. Zhukavin, V.N. Shastin. Appl. Phys. Lett., 84, 3600 (2004)
  5. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  6. R.Kh. Zhukavin, V.V. Tsyplenkov, K.A. Kovalevsky, V.N. Shastin, S.G. Pavlov, U. Bottger, H.-W. Hubers, H. Riemann, N.V. Abrosimov, N. Notzel. Appl. Phys. Lett., 90, 051 101 (2007)
  7. S.G. Pavlov, U. Bottger, H.-W. Hubers, R.Kh. Zhukavin, K.A. Kovalevsky, V.V. Tsyplenkov, V.N. Shastin, N.V. Abrosimov, H. Riemann. Appl. Phys. Lett., 90, 141 109 (2007)
  8. W. Kohn, J.M. Luttinger. Phys. Rev., 90 (4), 915 (1955)
  9. J.C. Hensel, H. Hasegawa, M. Nakayama. Phys. Rev., 138 (4), A225 (1965)
  10. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупровдников (М., Наука, 1979)
  11. C. Jacoboni, L. Reggiani. Rev. Mod. Phys., 5 (3), 645 (1983)
  12. S. Rodriguez, T. Shultz. Phys. Rev., 178 (3), 1252 (1969)
  13. П. Ю, М. Кардона. Основа физики полупроводников (М., Физматлит, 2002)
  14. C. Jagannath, Z.W. Grabowski, A.K. Ramdas. Phys. Rev. B, 23, 2082 (1981)
  15. G. Dolling. IAEA (Vienna), 11, 37 (1963)
  16. G. Nilsson, G. Nelin. Phys. Rev. B, 6, 3777 (1972)
  17. P. Giannozzi, de S. Gironcoli, P. Pavone, S. Baroni. Phys. Rev. B, 43, 7231 (1991)
  18. Е.В. Демидов, М.С. Кузнецов, В.В. Цыпленков, В.Н. Шастин. Матер. X симпоз. по нанофизике и наноэлектронике (ИФМ РАН, Н. Новгород, 13-17 марта 2006) т. 2, с. 320
  19. A.J. Mayur, M. Dean Sciacca, A.K. Ramdas, S. Rodriguez. Phys. Rev. B., 48, 10 893 (1993-I)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.