"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Латеральное упорядочение нановискеров GaAs на поверхностях GaAs(111)B и GaAs(110) при молекулярно-пучковой эпитаксии
Цырлин Г.Э., Сибирев Н.В.1, Sartel С.2, Harmand J.-C.2
1Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2LPN CNRS, Marcoussis, France
Поступила в редакцию: 24 октября 2007 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.

Рассмотрены возможности получения латерально-упорядоченных массивов нановискеров GaAs на поверхностях GaAs(110) и GaAs(111)B непосредственно при молекулярно-пучковой эпитаксии. Как и в случае подложки GaAs(111)B, на поверхности GaAs(110) нановискеры образуются в гексагональной фазе, что подтверждается и картинами дифракции быстрых электронов на отражение, снятыми при росте нановискеров, и спектрами фотолюминесценции. PACS: 68.70, 61.46.-w, 61.46.Hk
  1. А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, И.П. Сошников, В.М. Устинов. ФТП, 38 (10), 1256 (2004)
  2. R.S. Wagner, W.C. Ellis. Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964)
  3. M.T. Bjork, B.J. Ohlsson, C. Thelander, A.I. Persson, K. Deppert, L.R. Wallenberg, L. Samuelson. Appl. Phys. Lett., 81, 4458 (2002)
  4. J. Xiang, W. Lu, Y. Hu, Y. Wu, H. Yan, C.M. Lieber. Nature, 441, 489 (2006)
  5. X. Duan, Y. Huang, Y. Cui, J. Wang, C.M. Lieber. Nature, 409, 66 (2001)
  6. X. Duan, Y. Huang, R. Agarwal, C.M. Lieber. Nature, 421, 241 (2003)
  7. J. Wang, M.S. Gudiksen, X. Duan, Y. Cui, C.M. Lieber. Science, 293, 1455 (2001)
  8. H. Pettersson, J. Trogordh, A.I. Persson, L. Landin, D. Hessman, L. Samuelson. Nano Lett., 6, 229 (2006)
  9. G. Zheng, F. Patolsky, Y. Cui, W.U. Wang, C.M. Lieber. Nature Biotechnology, 23, 1294 (2005)
  10. T. Bryllert, L.-E. Werenersson, T. Lowgern, L. Samuelson. Nanotechnology, 17, S227 (2006)
  11. Г.Э. Цырлин, M. Tchernycheva, C. Sartel, J. Patriarche, L. Vila, J.C. Harmand. Матер. XI Межд. симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, 2007) с. 187
  12. M. Tchernycheva, J.C. Harmand, G. Patriarche, L. Travers, G.E. Cirlin. Nanotechnology, 17, 4025 (2006)
  13. И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, А.А. Тонких, Ю.Б. Самсоненко, В.Г. Дубровский, В.М. Устинов, О.М. Горбенко, D. Litvinov, D. Gerthsen. ФТТ, 47, 2121 (2005)
  14. Landolt-Bornstein: Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, New Series. Group III: Condensed Matter, v. 42A2, ed. by W. Martienssen (Spvinger Verlag)
  15. J.W. Cahn, R.E. Hanneman. Surf. Sci., 1, 387 (1964)
  16. D.M. Holmesa, E.S. Toka, J.L. Sudijonoa, T.S. Jonesa, B.A. Joyce. J. Cryst. Growth, 192, 33 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.