Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности пространственного распределения In в эпитаксиальных слоях InGaN, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией с плазменной активацией

Жмерик В.Н.¹, Мизеров А.М.¹, Шубина Т.В.¹, Плотников Д.С.¹, Заморянская М.В.¹, Яговкина М.А.¹, Домрачева Я.В.¹, Ситникова А.А.¹, Иванов С.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 25 сентября 2007 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы процессы, ведущие к формированию пространственно неоднородного распределения In в слоях In_xGa_1-xN с x=0-0.6, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией с плазменной активацией азота при относительно низких температурах роста (590-630^oC). Обнаружено, что при небольших значениях x<0.1 рост происходит псевдоморфно (по крайней мере до толщины 70 нм), и эти слои характеризуются высокой однородностью распределения In, что подтверждает их термодинамическую стабильность. При повышении x до ~ 0.3 наблюдаются признаки неоднородного распределения In, что связывается с релаксацией механических напряжений, облегчающей развитие фазового распада. Показано, что слои с более неоднородным распределением In имеют более интенсивную фотолюминесценцию в области энергий 2.0-2.5 эВ. Для слоев с x~ 0.6 наблюдается полный фазовый распад с образованием нескольких фаз с широким спектром составов, включая область вблизи бинарного соединения InN. PACS: 81.40.Tv, 81.05.Ee, 81.15.Gh

S.F. Chichibu, A. Uedono, T. Onuma, B.A. Haskell, A. Chakraborty, T. Koyama, P.T. Fini, S. Keller, S.P. Denbaars, J.S. Speck, U.K. Mishra, S. Nakamura, S. Yamacuchi, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, J. Han, T. Sota. Nature Mater., 5, 810 (2006)
C. Wetzel, T. Detchprohm. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 10, 2 (2005)
M. Yamada, Y. Narukawa, T. Mukai. Jpn. J. Appl. Phys., 41, L246 (2002)
A. Kikuchi, M. Tada, K. Miwa, K. Kishino. Jpn. J. Appl. Phys., 43 (12A), L1524 (2004)
O.H. Ham, K.H. Ha, S.N. Lee, H.Y. Ryu, T. Jang, J.K. Son, H.S. Paek, Y.J. Sung, K.S. Kim, H.G. Kim, S.H. Chae, Y.H. Kim, K.K. Choi, J.H. Chae, T. Sakong, Y.J. Park. Proc. Int. Workshop on Nitride Semicond. 2006 (Kyoto, Japan, 2006) p. 70
I. Ho, G.B. Stringfellow. Appl. Phys. Lett., 69, 2701 (1996)
R. Singh, D. Doppalapudi, T.D. Moustakas, L.T. Romano. Appl. Phys. Lett., 70, 1089 (1997)
S.Y. Karpov. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 3, 16 (1998)
M. Rao, D. Kim, S. Mahajan. Appl. Phys. Lett., 85 (11), 1961 (2004)
C.A. Parker, J.C. Roberts, S.M. Bedair, M.J. Reed, S.X. Liu, N.A. El-Masry. Appl. Phys. Lett., 75 (18), 2776 (1999)
X. Wang, S.B. Che, Y. Ishitani, A. Yoshikawa. J. Appl. Phys., 99, 073 512 (2006)
Y.T. Moon, D.J. Kim, J.S. Park, J.T. Oh, J.M. Lee, Y.W. Ok, H. Kim, S.J. Park. Appl. Phys. Lett., 79 (5), 599 (2001)
S. Pereira, M.R. Coreia, E. Pereira, C. Trager-Cowan, F. Sweeney, K.P. O'Donnell, E. Alves, N. Franco, A.D. Sequeira. Appl. Phys. Lett., 80 (1), 3913 (2002)
S.W. Feng, T.Y. Tang, Y.C. Lu, S.J. Liu, E.C. Lin, C.C. Yang, K.J. Ma, C.H. Shen, L.C. Chen, K.H. Kim, J.Y. Lin, H.X. Jiang. J. Appl. Phys., 95 (10), 5388 (2004)
F.B. Naranjo, M.A. Sanchez-Garcia, F. Calle, E. Calleja, B. Jenichen, K.H. Ploog. Appl. Phys. Lett., 80 (2), 231 (2002)
S.V. Ivanov, V.N. Jmerik, T.V. Shubina, S.B. Listoshin, A.M. Mizerov, A.A. Sitnikova, M.H. Kim, M. Koike, B.J. Kim, P.S. Kop'ev. J. Cryst. Growth, 301--301, 465 (2007)
В.Н. Жмерик, А.М. Мизеров, Т.В. Шубина, С.Б. Листошин, С.В. Иванов. Письма ЖТФ, 33 (8), 36 (2007)
Ya.V. Domracheva, L.A. Bakaleinikov, E.Yu. Flegontova, T.B. Popova, M.V. Zamoryanskaya. Proc. EMAS 2007 10th European Workshop on Modern Developments and Applications in Microbeam Analysis (Antwerp, Belgium, 2007)
K.P. O'Donnell, J.F.W. Mosselmans, R.W. Martin, S. Pereira, M.E. White. J. Phys.: Condens. Matter., 13, 6977 (2001)
R. People, J.C. Bean. Appl. Phys. Lett., 47, 322 (1985)
N. Grandjean, B. Damilano, J. Massies. J. Phys.: Condens. Matter., 13, 6945 (2001)
C. Adelmann, J. Simon, G. Feuillet, N.T. Pelekanos, B. Daudin, G. Fishman. Appl. Phys. Lett., 76, 1570 (2000)
S.V. Ivanov, P.D. Altukhov, T.S. Argunova, A.A. Bakun, A.A. Boudza, V.V. Chaldyshev, Yu.A. Kovalenko, P.S. Kop'ev, R.N. Kutt, B.Ya. Meltser, S.S. Ruvimov, S.V. Shaposhnikov, L.M. Sorokin, V.M. Ustinov. Semicond. Sci. Technol., 8, 347 (1993)
J. Neugebauer, T. Zywietz, M. Scheffler. J. Northrup. Appl. Surf. Sci., 159--160, 355 (2000)
M. Shroeder, D.E. Wolf. Surf. Sci., 375, 129 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель