"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Резонансное туннелирование носителей в фотовозбужденных гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe
Зайцев С.В.1, Максимов А.А.1, Тартаковский И.И.1, Яковлев Д.Р.2, Вааг А.3
1Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
2Experimentelle Physik II, University of Dortmund, Dortmund, Germany
3Institute of Semiconductor Technology, Braunschweig Technical University, Braunschweig, Germany
Поступила в редакцию: 13 сентября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2008 г.

Показано, что в гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe при высоких плотностях пространственно разделенных электронов и дырок достигаются условия резонансного туннелирования фотовозбужденных дырок из слоя ZnSe в слой BeTe. Обнаружено нелинейное поведение интенсивности полосы фотолюминесценции пространственно прямого оптического перехода от плотности фотовозбуждения. Проведенные численные расчеты находятся в хорошем согласии с экспериментальными результатами в широком диапазоне изменения величины оптической накачки. PACS: 73.21.Cd, 73.40.Gk,78.55.Et
  1. F.C. Zhang, H. Luo, N. Dai et al. Phys. Rev. B, 47, 3806 (1993)
  2. N. Dai, L.R. Ram-Mohan, H. Luo et al. Phys. Rev. B, 50, 18 153 (1994)
  3. E. Finkman, R. Planel. Proc. 23rd Int. Conf. on Physics of Semiconductors, ed. by M. Scheffler, R. Zimmermann (World Scientific, 1996) v. 3, p. 1723
  4. A. Wang, F. Fisher, H.-J. Lugauer, Th. Litz, J. Laubender, U. Lunz, U. Zehnder, W. Ossau, T. Gerhardt, M. Moller, G. Landwehr. J. Appl. Phys., 80, 792 (1996)
  5. M. Nagelstrab er, H. Droge, H.-P. Steinruck et al. Phys. Rev. B, 58, 10 394 (1998)
  6. A.V. Platonov, D.R. Yakovlev, U. Zehnder, V.P. Kochereshko, W. Ossau, F. Fischer, Th. Litz, A. Waag, G. Landwehr. Acta Phys. Polon. A, 92, 1063 (1997)
  7. H.W. Kesteren, E.C. Cosman, P. Dawson, K.J. Moore, C.T. Foxon. Phys. Rev. B, 39, 13 426 (1989)
  8. J.F. Angell, M.D. Sturge. Phys. Rev. B, 48, 4650 (1993)
  9. J. Feldmann, J. Nunnenkamp, G. Peter, E. Gobel, J. Kuhl, K. Ploog, P. Dawson, C.T. Foxon. Phys. Rev. B, 42, 5809 (1990)
  10. B. Deveaud, F. Cl\`erot, A. Regreny, R. Planel, J.M. G'erald. Phys. Rev. B, 49, 13 560 (1994)
  11. B. Binder, I. Galbraith, S.W. Koch. Phys. Rev. B, 44, 3031 (1991)
  12. G.R. Olbraight, S.W. Fu, J.F. Klem, B. Binder, I. Galbraith, S.W. Koch. Phys. Rev. B, 44, 3043 (1991)
  13. А.А. Максимов, И.И. Тартаковский, Д.Р. Яковлев, М. Байер, А. Вааг. Письма ЖЭТФ, 83, 173 (2006)
  14. С.В. Зайцев, В.Д. Кулаковский, А.А. Максимов, Д.А. Пронин, И.И. Тартаковский, Н.А. Гиппиус, Т. Литц, Ф. Фишер, А. Вааг, Д.Р. Яковлев, В. Оссау, Г. Ландвер. Письма ЖЭТФ, 66, 351 (1997)
  15. K. Zeeger. Semiconductor Physics (Springer Verlag, Wien, 1973) ch. 12
  16. G. Bastard, J.A. Brum, R. Ferreira. Solid State Physics: Advances in Research and Applications, ed. by H. Ehrenreich, D. Turnbull (Academic, N.Y., 1991) v. 44, ch. 12
  17. L.V. Butov, V.D. Kulakovskii, E. Lach, A. Forchel, D. Grutzmacher. Phys. Rev. B, 44, 10 680 (1991)
  18. В.Д. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников (Киев, Наук. думка, 1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.