"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности спектров собственной фотопроводимости в фосфиде индия, компенсированном медью
Макаренко Ф.В.1, Прибылов Н.Н.2, Рембеза С.И.1, Мельник В.А.1
1Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
2Российский государственный открытый технический университет путей сообщения, Воронежский филиал, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 25 сентября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2008 г.

Исследована собственная фотопроводимость фосфида индия, компенсированного медью. Обнаружено, что механическая полировка поверхности образца приводит к появлению в области края фундаментального поглощения дополнительного максимума фотопроводимости, исчезающего при хранении образца. Установлена зависимость вида спектра фотопроводимости от времени старения, величины электрического поля, положения светового пятна относительно контактов. Результаты объясняются изменением времени жизни неравновесных носителей заряда по глубине образца. Приводится выражение для спектров фотопроводимости, качественно описывающее эксперимент. PACS: 81.40.Tv, 78.55.Cr, 78.66.Fd
  1. P.O. Fagerstorm, H.G. Grimmeis, H.H. Titze. J. Appl. Phys., 49, 3341 (1978)
  2. Н.Н. Прибылов, В.А. Буслов, С.И. Рембеза, А.И. Спирин, С.А. Сушков. ФТП, 33 (8), 916 (1999)
  3. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) кн. 2
  4. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) кн. 1

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.