"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Определение энергии и концентрации амфотерных дефектов методом дифференциальной обработки температурной зависимости концентрации свободных носителей
Никитина А.Г.1, Зуев В.В.1
1Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 20 августа 2007 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.

Исследовано применение дифференциальной обработки температурной зависимости концентрации свободных носителей в полупроводниках в присутствии амфотерных центров как с положительной, так и с отрицательной корреляционной энергией и для различных условий компенсации. Обнаружено, что высота и положение максимума дифференциальной характеристки, обусловленных акцепторным состоянием, зависит от степени компенсации. Такая ситуация может ошибочно восприниматься как изменение концентрации центров и их энергетического спектра в запрещенной зоне полупроводника или образование новых дефектов в зависимости от условий компенсации. PACS: 61.72.Bb, 71.55.-i, 72.20.My
  1. A. Rose. Phys. Rev., 97, 1538 (1955)
  2. H.J. Hoffmann. Appl. Phys. A, 19, 307 (1979)
  3. H.J. Hoffmann. Phys. Rev. Lett., 45, 1733 (1980)
  4. H.J. Hoffmann. Phys. Rev. B, 23, 5603 (1981)
  5. H.J. Hoffmann. J. Appl. Phys., 52, 4070 (1981)
  6. H.J. Hoffmann. Appl. Phys. A, 27, 39 (1982)
  7. H.J. Hoffmann, H. Nakayama, T. Nishino, Y. Hamakawa. Appl. Phys. A, 33, 47 (1984)
  8. Л.Ф. Макаренко, В.П. Маркевич, Л.И. Мурин. ФТП, 19, 1935 (1985)
  9. V.V. Litvinov, G.V. Palchik, V.J. Urenev. Phys. Status Solidi A, 108, 311 (1988)
  10. Ю.М. Покотило, А.Н. Петух, В.В. Литвинов, В.Г. Цвырко. ФТП, 39, 802 (2005)
  11. А.Г. Гончарова, В.В. Зуев. ФТП, 25, 1249 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.