Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Роль синглетного кислорода при образовании нанопористого кремния

Беляков Л.В.¹, Горячев Д.Н.¹, Сресели О.М.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 21 мая 2007 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние синглетного кислорода на образование нанопористого кремния при фотоэлектрохимическом травлении кремния p-типа. Для дискриминации химических и электрохимических процессов использовался импульсный электролиз. Импульсное травление кремния сопровождалось импульсным же освещением как в периоды, совпадающие с периодами прохождения тока, так и в бестоковые периоды. Анализ результатов показал, что при освещении по мере увеличения количества нанокристаллитов кремния начинается генерация синглетного кислорода из растворенного в электролите молекулярного кислорода. Этот процесс приводит к окислению поверхности нанокристаллитов кремния и изменению характера ее пассивации. PACS: 61.43.Gt, 78.55.Mb, 81.05.Rm

A.G. Gullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. (Review). J. Appl. Phys., 82 (3), 909 (1997)
V. Lehmann, U. Goesele. Appl. Phys. Lett., 58 (8), 856 (1991)
R.L. Smith, S.D. Collins (Review). J. Appl. Phys., 71 (8), R1 (1992)
Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, О.М. Сресели, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 27, 1961 (1993)
D. Kovalev, E. Gross, N. Kuentzer, F. Koch, V.Yu. Timoshenko, M. Fujii. Phys. Rev. Lett., 89 (13), 137 401 (2002)
D. Kovalev, M. Fujii. (Review). Adv. Mater., 17, 1 (2005)
M. Fujii, N. Nishimura, H. Fumon, S. Hayashi, D. Kovalev, B. Goller, J. Diener. J. Appl. Phys., 100, 124 302 (2006)
X. Hou, H. Fan, L. Xu, F. Zhang, M. Li, M. Yu, X. Wang. Appl. Phys. Lett., 68 (17), 2323 (1996)
Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, О.М. Сресели. Письма в ЖТФ, 22 (3), 14 (1996)
Z. Gaburro, N. Daldosso, L. Pavesi. Porous Silicon. In: Encyclopedia of Condensed Matter Physics, ed. by F. Bassani, J. Liedl and P. Wyder (Elsevier Ltd, 2005)
Д.Н. Горячев, Л.В. Беляков, О.М. Сресели. ФТП, 34 (9), 1130 (2000)
Ф.Ф. Волькенштейн. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции (М., Наука, 1987)
M.V. Wolkin, J. Jorne, P.M. Fauchet, G. Allan, C. Delerue. Phys. Rev. Lett., 82 (1), 197 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель