"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Повышение подвижности электронов в двухбарьерной гетероструктуре AlGaAs/GaAs/AlGaAs при введении в квантовую яму GaAs тонких InAs-барьеров для полярных оптических фононов
Пожела Ю.1, Пожела К.1, Юцене В.1, Балакаускас С.1, Евтихиев В.П.2, Школьник А.С.2, Стораста Ю.3, Мекис А.3
1Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Физический факультет Вильнюсского университета, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 17 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2007 г.

Захват и локализация полярных оптических фононов в узких фононных ямах с помощью тонких фононных барьеров многократно снижает скорость электрон-фононного рассеяния на полярных оптических фононах. Экспериментально наблюдается увеличение подвижности и дрейфовой скорости электронов в сильных электрических полях при введении тонких фононных барьеров в квантовую яму AlGaAs/GaAs/AlGaAs. PACS: 72.10.Di, 73.21.Fg, 73.40.Kp, 73.63.Hs
  1. Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене. ФТП, 41 (9), 1093 (2007)
  2. J. Wang, J.-P. Leburton, J. Pov zela. J. Appl. Phys., 81, 3468 (1997)
  3. N. Mori, T. Ando. Phys. Rev. B, 40, 6175 (1989)
  4. I. Lee, S.M. Goodnick, M. Gulia, E. Molinari, P. Lugli. Phys. Rev. B, 51, 7046 (1995)
  5. L.F. Register. Phys. Rev. B, 45, 8756 (1992)
  6. J. Pov zela, K Pov zela, V. Juciene. Lithuan. J. Phys., 47, 41 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.