"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Изотермическая поляризация тонкопленочной МДМ структуры Al-As2Se3-Al
Аванесян В.Т.1, Грабко Г.И.1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2007 г.

Приведены результаты изучения кинетики изотермического тока поляризации в пленках As2Se3. В исследуемых образцах протекают интенсивные релаксационные процессы, связанные с накоплением объемного заряда в приконтактной области металл-полупроводник. Проводится анализ экспериментальных данных с привлечением эстафетного механизма электропереноса. PACS: 77.22.Ej, 73.40.Rw, 78.66.Jg
  1. V.M. Lyubin, V.K. Tikhomirov. J. Non-Cryst. Sol., 135, 37 (1991)
  2. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996)
  3. A.K. Jonscher. Universal relaxation law (London, Chelsea Dielectric Press, 1966)
  4. K. Satoh, Y. Yamanashi, M. Kitao. Jpn. J. Appl. Phys., 31, 181 (1992)
  5. А.А. Симашкевич, С.Д. Шутов. ФТП, 28, 133 (1994)
  6. J.G. Simmons, M.C. Tam. Phys. Rev., 117 (8), 3706 (1973)
  7. Б.Л. Тиман. ФТП, 7, 225 (1973)
  8. Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, Н.А. Рогачев. Электронные явления в некристаллических полупроводниках под ред. Б.Т. Коломийца (Л., Наука, 1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.