Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние химической обработки на спектры фотолюминесценции слоев SiO_x с включениями нанокристаллов Si

Индутный И.З.¹, Майданчук И.Ю.¹, Минько В.И.¹, Шепелявый П.Е.¹, Данько В.А.¹

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 28 декабря 2006 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние химической обработки в насыщенных парах аммиака и ацетона на спектральный состав и интенсивность фотолюминесценции в пористых пленках SiO_x, содержащих нанокристаллы кремния (nc-Si). Пористость пленок SiO_x обеспечивалась наклонным осаждением термически испаренного в вакууме кремния или его монооксида на полированные кремниевые подложки. Кинетика адсорбции паров контролировалась по изменению частоты кварцевого осциллятора, на который наносились исследуемые пленки. В результате химической обработки и последующего высокотемпературного отжига при температуре 950^oC пленок SiO_x в их спектре фотолюминесценции появляется новая (по сравнению с необработанными), более коротковолновая полоса, положение максимума которой зависит от состава пленки, а интенсивность - от длительности обработки. Наблюдали гашение новой полосы фотолюминесценции под воздействием лазерного излучения (длина волны 488 нм), которое сильнее проявляется в максимуме полосы. Показана возможность управления характеристиками фотолюминесценции пористых структур при помощи химической обработки. PACS: 78.55.Mb, 79.60.Jv, 81.40.Ef

M. Volinary, H. Rinnert, H. Vergnat. Appl. Phys. Lett., 82 (22), 3877 (2003)
В.Я. Братусь, В.А. Юхимчук, Л.И. Бережинский, М.Я. Валах, И.П. Ворона, И.З. Индутный, Т.Т. Петренко, П.Е. Шепелявый, И.Б. Янчук. ФТП, 35 (7), 854 (2001)
D. Nesheva, C. Raptis, A. Perakis, I. Bineva, Z. Aneva, Z. Levi, S. Alexandrova, H. Hofmeister. J. Appl. Phys., 92 (8), 4678 (2002)
И.П. Лисовский, И.З. Индутный, Б.Н. Гненный, П.М. Литвин, Д.О. Мазунов, А.С. Оберемок, Н.В. Сопинский, П.Е. Шепелявый. ФТП, 37 (1), 98 (2003)
J. Heitmann, F. Muller, M. Zacharias, U. Gosele. Adv. Mater., 17, 795 (2005)
I.Z. Indutnyy, I.Yu. Maidanchuk, V.I. Min'ko, P.E. Shepelyavyi, V.A. Dan'ko. J. Optoelectron. and Adv. Mater., 7 (3), 1231 (2005)
S.R. Kennedy, M. Brett. J. Appl. Opt., 42 (22), 4573 (2003)
M.V. Wolkin, J. Jorne, P.M. Fauchet, G. Allan, C. Delerue. Phys. Rev. Lett., 82 (1), 197 (1999)
Tae-Youb Kim, Nae-Man Park, Kyun-Hyun Kim, Gun Yung Sung, Young Woo Ok, Tae-Yeon Seong, Cheol-Jong Choi. Appl. Phys. Lett., 85 (2), 5355 (2004)
Moon-Seung Yang, Kwan-Sik Cho, Ji-Hong Jhe, Se-Young Seo, Jung H. Shin, Kyung Joong Kim, Dae Won Moon. Appl. Phys. Lett., 85 (16), 3408 (2004)
Se-Young Seo, Kwan-Sic Cho, Jung H. Shin. Appl. Phys. Lett., 84, 717 (2004)
M. Nakamura, V. Mochizuki, K. Usami, U. Yoto, T. Nozaki. Sol. St. Commun., 50 (12), 1079 (1984)
G. Zuther. Phys. Status Solidi, 59, K109 (1980)
A.R. Wilkinson, R.G. Elliman. J. Appl. Phys., 97 (7), 4018 (2004)
B. Garrido Fernandez, M. Lopez, C. Garcia, A. Perez-Rodrigues, R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie. J. Appl. Phys., 91 (2), 798 (2002)
В.Г. Бару, М.И. Елинсон, В.А. Житов, Л.Ю. Захаров, В.И. Покалякин, Г.В. Степанов, А.П. Чернушич. Микроэлектроника, 26 (3), 199 (1997)
Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, К.С. Журавлев, M.O. Ruault. ФТП, 35 (10), 1235 (2001)
Y.Q. Wang, W.D. Chen, X.B. Liao, Z.X. Cao. Nanotechnology, 14, 1235 (2003)
T. Takami, S. Ishidzuka, Y. Igari, H. Range, I. Kusunoki. Thin Sol. Films, 376, 89 (2000)
A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82 (3), 909 (1997)
T. Toyoda, R. Torai. Thin Sol. Films, 438-439, 137 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель