Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Пластическая релаксация пленок GeSi/Si(001), выращенных в присутствии сурфактанта Sb методом молекулярной эпитаксии
Болховитянов Ю.Б.1, Дерябин А.С.1, Гутаковский А.К.1, Колесников А.В.1, Соколов Л.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 31 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.
Пластически релаксированные пленки GeSi с долей Ge, равной 0.29-0.42, и толщиной до 0.5 мкм выращены на подложках Si(001) с использованием низкотемпературного (350oC) буферного слоя Si и Sb как сурфактанта. Показано, что введение Sb, выглаживающей поверхность пленки на стадии псевдоморфного роста, понижает плотность пронизывающих дислокаций в пластически релаксированной гетероструктуре на 1-1.5 порядка, а также уменьшает финишную шероховатость поверхности. Среднеквадратичная величина шероховатости меньше чем 1 нм была получена для пленки с содержанием Ge 0.29 и с плотностью пронизывающих дислокаций около 106 см-2. Предполагается, что влияние сурфактанта основано на том, что в присутствии Sb снижается активность поверхностных источников дислокаций. PACS: 61.72.Lk, 68.35.Ct, 68.55.Jk, 81.15.Hi
- M.T. Currie, S.B. Samavedam, T.A. Langdo, C.W. Leitz, E.A. Fitzgerald. Appl. Phys. Lett., 72, 1718 (1998)
- Y.H. Xie, D. Monroe, E.A. Fitzgerald, P.J. Silverman, F.A. Thiel, G.P. Watson. Appl. Phys. Lett., 63, 2263 (1993)
- C.W. Leitz, M.T. Currie, M.L. Lee, Z.-Y. Cheng, D.A. Antoniadis, E.A. Fitzgerald. J. Appl. Phys., 92, 3745 (2002)
- H. Chen, L.W. Guo, Q. Cui, Q. Hu, Q. Huang, J.M. Zhou, J. Appl. Phys., 79, 1167 (1996)
- K.K. Linder, F.C. Zhang, J.-S. Rieh, P. Bhattacharya, D. Houghton. Appl. Phys. Lett., 70, 3224 (1997)
- J.H. Li, C.S. Peng, Y. Wu, D.Y. Dai, J.M. Zhou, Z.H. Mai. Appl. Phys. Lett., 71, 3132 (1997)
- Y.H. Luo, J. Wan, R.L. Forrest, J.L. Liu, M.S. Goorsky, K.L. Wang. J. Appl. Phys., 89, 8279 (2001)
- Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. J. Appl. Phys., 96, 7665 (2004)
- Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. Thin Sol. Films, 466, 69 (2004)
- R. Hull, J.C. Bean, C. Buescher. J. Appl. Phys., 66, 5837 (1989)
- E.P. Kvam, D.M. Maher, C.J. Hymphreys. J. Mater. Res., 5, 1900 (1990)
- P.M. Mooney, F.K. LeGoues, J. Tersoff, J.O. Chu. J. Appl. Phys., 75, 3968 (1994)
- V.I. Vdovin, M.G. Mil'vidskii, T.G. Yugova, K.L. Lyutovich, S.M. Saidov. J. Cryst. Growth, 141, 109 (1994)
- Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. J. Cryst. Growth, 280, 309 (2005)
- T. Ueno, T. Irisawa, Y. Shiraki. J. Cryst. Growth, 227, 761 (2001)
- K.M. Shoukri, Y.M. Haddara, A.P. Knights, P.G. Coleman. Appl. Phys. Lett., 86, 131 923 (2005)
- J. Tersoff, F.K. LeGoues. Phys. Rev. Lett., 72, 3570 (1994)
- Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. Appl. Phys. Lett., 85, 6140 (2004)
- Ю.Б. Болховитянов, А.С. Дерябин, А.К. Гутаковский, М.А. Ревенко, Л.В. Соколов. ФТП, 40, 324 (2006)
- Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. J. Cryst. Growth, 293, 247 (2006)
- M. Copel, M.C. Reuter, M. Horn von Hoegen, R.M. Tromp. Phys. Rev. B, 42, 11 682 (1990)
- G.G. Jernigan, C.L. Silvestre, M. Fatemi, M.E. Twigg, P.E. Thompson. J. Cryst. Growth, 213, 299 (2000)
- A.D. Lambert, B.M. McGregor, R.J.H. Morris, C.P. Parry, D.P. Chu, G.A. Cooke, P.J. Phillips, T.E. Whall, E.H.C. Parker. Semicond. Sci. Technol., 14, L1 (1999)
- Yu.B. Bolkhovityanov, A.K. Gutakovskii, V.I. Mashanov, O.P. Pchelyakov, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. J. Appl. Phys., 91, 4710 (2002)
- R.D. Hobard, D.J. Godbey, P.E. Thompson, D.S. Simons. Appl. Phys. Lett., 63, 1381 (1993)
- K. Kim, Y. Takakuwa, T. Abukawa, S. Kono. J. Cryst. Growth, 186, 95 (1998)
- D.D. Perovic, G.C. Weatherly, J.-M. Baribeau, D.C. Houghton. Thin Sol. Films, 183, 141 (1989)
- J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
- Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. Thin Sol. Films, 466, 69 (2004)
- F.K. Legoues, B.S. Meyerson, J.F. Morar, P.D. Kirchner. J. Appl. Phys., 71, 4230 (1992)
- M.A. Lutz, R.M. Feenstra, F.K. LeGoues, P.M. Mooney, J.O. Chu. Appl. Phys. Lett., 66, 724 (1995)
- F.R. LeGoues. Phys. Rev. Lett., 72, 876 (1994)
- A. Portavoce, I. Berbezier, A. Ronda. Phys. Rev. B, 69, 155 416 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
