Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Определение характерного пространственного масштаба флуктуаций толщины туннельно-тонкого диэлектрика в МДП структурах на основе данных электрических измерений

Тягинов С.Э.¹, Векслер М.И.¹, Грехов И.В.¹, Zaporojtchenko V.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Technische Fakultat der Universitat Kiel, Kiel, Deutschland

Поступила в редакцию: 1 марта 2007 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложены и опробованы методики определения "корреляционной длины" для флуктуаций толщины тонкого диэлектрика с использованием данных измерений электрических характеристик туннельных МДП структур, т. е. без применения средств микроскопии. Один из предложенных подходов основан на статистической обработке результатов измерений тока для случайной выборки образцов. Другой метод базируется на анализе скачков тока в сторону уменьшения, происходящих при испытании приборов на достаточно высоком постоянном напряжении. Апробация методов проведена на туннельных структурах Al/SiO₂/Si. Полученные оценки пространственного масштаба флуктуаций толщины сопоставляются с результатами непосредственного измерения этого масштаба для тех же слоев окисла. PACS: 61.72.Hh, 68.35.Ct, 68.37.Ps, 73.40.Qv, 73.40.Gk

International Technology Roadmap for Semiconductors (http://www.itrs.net)
A. Asenov, S. Kaya, J.H. Davies. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-49 (1), 112 (2002)
A. Petru. Ph. D. Dissertation, Univ. of Maryland, USA (2004)
M. Houssa, T. Nigam, P.W. Mertens, M.M. Heyns. Sol. St. Electron., 43 (1), 159 (1999)
M.I. Vexler, A.F. Shulekin, Ch. Dieker, V. Zaporojtschenko, H. Zimmermann, W. Jager, I.V. Grekhov, P. Seegebrecht. Sol. St. Electron., 45 (1), 19 (2001)
B. Majkusiak, A. Strojwas. J. Appl. Phys., 74 (9), 5638 (1993)
S.E. Tyaginov, M.I. Vexler, A.F. Shulekin, I.V. Grekhov. Sol. St. Electron., 49 (7), 1192 (2005)
R. Khlil, A. El Hdiy, A.F. Shulekin, S.E. Tyaginov, M.I. Vexler. Microel. Reliab., 44 (3), 543 (2004)
M. Koh, K. Iwamoto, W. Mizubayashi, H. Murakami, T. Ono, M. Tsuno, T. Mihara, K. Shibahara, S. Yokoyama, S. Miyazaki, M.M. Miura, M. Hirose. IEDM Tech. Dig., 919 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель