Вышедшие номера
Фоточувствительность структур на пленках Cu(In,Ga)(S,Se)2, полученных термообработкой в парах S и Se
Рудь В.Ю.1, Тиванов М.С.2, Рудь Ю.В.3, Гременок В.Ф.4, Зарецкая Е.П.4, Залесский В.Б.5, Леонова Т.Р.5, Романов П.И.5
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
5Институт электроники Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 7 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.

Методом одновременной сульфиризации и селенизации интерметаллических слоев Cu-In-Ga получены однофазные тонкие пленки твердых растворов Cu(In, Ga)(S, Se)2 (CIGSS), на которых вакуумным термическим напылением чистого In созданы выпрямляющие фоточувствительные поверхностно-барьерные структуры In/p-CIGSS. Исследованы спектры фоточувствительности впервые полученных структур. Изучено влияние состава пленок твердых растворов и условий освещения на фотоэлектрические параметры новых структур In/p-CIGSS. Сделан вывод о перспективности полученных пленок CIGSS для создания тонкопленочных фотопреобразователей высокой эффективности. PACS: 73.30.+y, 73.50.Pz, 81.40.Tv, 85.30.Hi
  1. L.L. Kazmerski. Renewable and sustainable energy reviews, 1 (1,2), 71 (1997)
  2. A. Goetzberger, C. Hebling, H.W. Schock. MSE, R40, 1 (2003)
  3. K. Ramanathan, M.A. Contreras, C.L. Perkins, S. Asher, F.S. Hasoon, J. Keane, D. Young, M. Romero, W. Metzger, R. Noufi, J. Ward, A. Duda. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 11, 225 (2003)
  4. M. Powalla, B. Dimmler. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 75, 27 (2003)
  5. J. Palm, V. Probst, F.H. Karg. Sol. Energy, 77, 757 (2004)
  6. V. Alberts, J. Titus, R.W. Birkmire. Thin Sol. Films, 451--452, 207 (2004)
  7. I.M. Kotschau, M. Turcu, U. Rau, H.W. Schock. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 668, H4.5.1 (2001)
  8. Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)
  9. И.В. Боднарь, Т.А. Кушнер, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ЖПС, 69, 520 (2002)
  10. V.Yu. Rud, Yu.V. Rud, V.F. Gremenok, E.P. Zaretskaya, D.D. Krivolap, I.V. Bodnar, S.I. Sergeev-Nekrasov. Sol. St. Phenomena, 67--68, 415 (1999)
  11. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  12. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.