"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Смирнов Леонид Степанович ( к 75-летию со дня рождения)
Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.
17 января 2007 года Леониду Степановичу Смирнову, заслуженному деятелю науки и техники России, лауреату Государственной премии СССР, исполнилось 75 лет. После окончания Ленинградского государственного университета в 1954 г. Л. С. Смирнов получил направление в Физический институт им. П.Н. Лебедева Академии наук СССР (ФИАН), где принял участие в разработке первых в стране транзисторов на основе кремния и германия, солнечных и << атомных>> батарей. Процессы << холодного>> легирования и управления характеристиками кристаллов с применением радиации стали основными направлениями его деятельности. В 1962 г. Л. С. Смирнов входит в состав орготряда по формированию Института физики полупроводников в Академгородке под Новосибирском, где создает первую в институте лабораторию радиационной физики полупроводников, ставшую центром радиационных методов модификации, трансмутационного легирования, ионной имплантации и импульсного термического отжига полупроводников. Успехи лаборатории определились созданием и запуском собственных ускорителей частиц (среди которых знаменитый << Микротрон>>), применением комплекса современных исследовательских методик и удачного сочетания фундаментальных и прикладных проблем. Организованный Л. С. Смирновым ежегодный семинар в Академгородке был длительное время традиционным форумом специалистов науки и промышленности СССР, где в оживленных дискуссиях находились решения спорных вопросов, проверялись идеи, устанавливались контакты, а молодежь набиралась опыта. Под руководством Л. С. Смирнова 36 коллег стали кандидатами физико-математических наук, 8 из них защитили докторские диссертации. Было издано несколько коллективных монографий, обобщающих проведенные исследования. Эти монографии были переизданы также за рубежом, так как идеи и представленные в них результаты опережали во многом достижения иностранных ученых. Высказанные в соавторстве с А. В. Спицыным еще в 1962 г. и разернутые затем представления о том, что неравновесные точечные дефекты подвижны практически при любых температурах, активно вступают в ассоциации с центрами прилипания и аннигиляции, модифицируя дефектно-примесную подсистему кристаллов, легли в основу понимания процессов при радиационных и термических обработках, что заставляет и сегодня корректировать некоторые устоявшиеся модели о квазихимических реакциях дефектов в кристаллах. [!t] Принципиальное значение имели исследования переползания краевых дислокаций при поглощении свободных межузельных атомов. На этой основе родились представления о большой подвижности этих собственных точечных дефектов, о наличии деформационных барьеров для захвата дефектов, о процессах аннигиляции и кластеризации дефектов и роли зарядовых состояний. В работах по ионной имплантации, кроме решения прикладных проблем, обнаружены явления ионно-стимулированного синтеза соединений и рекристаллизации при сверхбольших дозах внедренных атомов. Предложенный совместно с физиками из Казани импульсный отжиг имплантационных слоев как метода управляемого создания метастабильных ситуаций получил широкое применение в технологии твердотельной электроники. Научный коллектив под руководством Л. С. Смирнова трижды признавался ведущей научной школой России. Сегодня Л. С. Смирнов руководит специализированным советом по защитам кандидатских диссертаций и общеинститутским семинаром Института физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук. Поздравляем Леонида Степановича со знаменательным юбилеем, благодарим за сотрудничество и желаем ему хорошего здоровья. Коллеги, друзья, ученики. Редколлегия журнала присоединяется к сердечным поздравлениям друзей и учеников Леонида Степановича и со своей стороны желает ему творческого долголетия.
  1. F. Korte, J. Serbin, J. Koch, A. Egbert, C. Fallinich, A. Ostendorf, B.N. Chichkov. Appl. Phys. A, 77, 229 (2003)
  2. M. Meunier, B. Fissete, A. Houle, A.V. Kabashin, S.V. Broude, P. Miller. Proc. SPIE, 4978, 169 (2003)
  3. P.P. Pronko, S.K. Dutta, J. Squier, J.V. Rudd, D. Du, G. Mourou. Opt. Commun., 114, 106 (1995)
  4. J. Bonse, S. Baudach, J. Kruger, W. Kautek, M. Lenzner. Appl. Phys. A, 74, 19 (2002)
  5. Silicon Photonics, ed. by D.J. Lockwood, L. Pavesi (Berlin, Springer Berlin/Heidelberg, 2004)
  6. J. Bonse, K.-W. Brzezinka, A.J. Meixner. Appl. Surf. Sci., 221, 215 (2004)
  7. C.H. Crouch, J.E. Carey, M. Shen, E. Mazur, F.Y. Genin. Appl. Phys. A, 79, 1635 (2004)
  8. С.В. Заботнов, Л.А. Головань, И.А. Остапенко, Ю.В. Рябчиков, А.В. Червяков, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров, В.В. Яковлев. Письма ЖЭТФ, 83 (2), 76 (2006)
  9. С.В. Заботнов, И.А. Остапенко, Л.А. Головань, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров, Г.Д. Шандыбина. Квант. электрон., 35, 943 (2005)
  10. Ю.И. Петров. Физика малых частиц (М., Наука, 1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.