"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Молекулярное состояние A+-центров в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
Петров П.В.1, Иванов Ю.Л.1, Жуков А.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 31 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2007 г.

Наряду с одиночными A+-центрами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs сушествуют их спаренные, молекулярные, состояния, которые проявляются в наличии второго пика фотолюминесценции, связанной с A+-центрами. Это утверждение основывается на особенностях циркулярной поляризации фотолюминесценции, а также на характерных зависимостях амплитуд пиков от степени легирования и температуры. Определена энергия связи дырок в молекулярном состоянии. Выдвинуто предположение, что спаренное состояние двух положительно заряженных A+-центров возможно вследствие поляронного эффекта. PACS: 73.21.Fg, 78.67.De, 78.55.Cr
  1. Е.М. Гершензон, А.П. Мельников, Р.И. Рабинович, Н.А. Серебрякова. УФН, 132, 353 (1980)
  2. Н.В. Агринская, Ю.Л. Иванов, В.М. Устинов, Д.А. Полоскин. ФТП, 35, 571 (2000)
  3. Ю.Л. Иванов, П.В. Петров, А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов. ФТП, 37, 91 (2003)
  4. П.В. Петров, Ю.Л. Иванов, К.С. Романов, А.А. Тонких, Н.С. Аверкиев. ФТП, 40, 1099 (2006)
  5. S. Huant, B. Etienne, N. Coron. Phys. Rev. B, 51, 5488 (1995)
  6. Q.X. Zhao, P.O. Holtz, A. Pasquarello, B. Monemar, M. Willander. Phys. Rev. B, 50, 2393 (1994)
  7. Ю.Л. Иванов, Н.В. Агринская, П.В. Петров, В.М. Устинов, Г.Э. Цырлин. ФТП, 36, 993 (2002)
  8. M.A. Smondyrev, J.T. Devreese, F.M. Peeters. Phys. Rev. B, 51, 15 008 (1995)
  9. N. Kashirina, V. Lakhno, V. Sychyov. Phys. Rev. B, 71, 134 301 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.