Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности латеральной электропроводности легированных островковых Si/Ge-структур p-типа

Гергель В.А.¹, Бурбаев Т.М.², Курбатов В.А.², Погосов А.О.², Рзаев М.², Сибельдин Н.Н.², Щелева И.М.¹, Якупов М.Н.¹

¹Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
²Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 9 ноября 2006 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Выполнен численный расчет проводимости структур с профилированным легированием вдоль направления протекания тока с учетом разрывов зон на границах высокоомных и низкоомных областей. Найдено, что вольт-амперные характеристики таких структур должны иметь S-образный вид, в пределе с отрицательным участком вольт-амперной характеристики, при этом критическим параметром теории является резкость гетероперехода между узкозонной и широкозонной составляющими структуры и степень легирования. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии изготовлены легированные островковые структуры Si/Si_1-xGe_x p-типа проводимости с различными размерами островков и различными величинами разрывов зон. Результаты теоретического анализа сопоставлены с результатами измерений латеральной электропроводности выращенных структур. PACS: 73.40.Lq, 73.61.Cw, 73.63.Bd

В.А. Гергель, Ю.В. Гуляев, В.А. Курбатов, М.Н. Якупов. ФТП, 39, 453 (2005)
В.А. Гергель, Ю.В. Гуляев, М.Н. Якупов. ФТП, 39, 1075 (2005)
В.А. Гергель, В.А. Курбатов, М.Н. Якупов. ФТП, 40, 446 (2006)
А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, В.М. Устинов, P. Werner. ФТП, 38, 1239 (2004)
R. Stratton. Phys. Rev., 126, 2002 (1962)
M.W. Dashiell, U. Denker, C. Muller, G. Costantini, C. Manzano, K. Kern, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett., 80, 1279 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель