"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности электролюминесценции эрбия в неупорядоченных полупроводниках, обусловленные различием заряда локализованных состояний
Шмелькин А.Б.1, Цэндин К.Д.2
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2007 г.

Рассмотрено влияние заряда дефектов и доноров на процесс электролюминесценции. Было показано, что учет различия температурных и полевых зависимостей вероятности термостимулированных туннельных переходов электронов с D--дефектов и N0-доноров позволяет объяснить специфические температурные и полевые зависимости проводимости и электролюминесценции. PACS: 71.23.-k, 71.23.Cq
  1. С.А. Козюхин, А.Р. Файрушин, Э.Н. Воронков. ФТП, 39 (8), 1011 (2005)
  2. В.Х. Кудоярова, С.А. Козюхин, К.Д. Цэндин, В.М. Лебедев, Е.А. Бабенко. В сб.: Труды V Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (СПб., 2006) с. 188
  3. М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, Б.П. Захарченя, В.Х. Кудоярова, А.Н. Кузнецов, Е.И. Теруков, В. Фус, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 38 (4), 1189 (1996)
  4. О.Б. Гусев, М.С. Бреслер, Б.П. Захарченя, А.Н. Кузнецов, П.Е. Пак, Е.И. Теруков, К.Д. Цэндин, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 41 (2), 210 (1999)
  5. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., ПИЯФ РАН, 1997)
  6. Л.Д. Ландау. Е.М. Лифшиц. Квантовая механика (М., Наука, 1989)
  7. С.Д. Ганичев, И.Н. Яссиевич, В. Преттл. ФТТ, 39 (11), 1905 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.