Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок нитрида галлия, полученных методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии
1Бердянский государственный педагогический университет, Бердянск, Украина 
2Академия управления и информационных технологий, Бердянск, Украина
2Академия управления и информационных технологий, Бердянск, Украина
Поступила в редакцию: 20 сентября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2007 г.
Тонкие пленки GaN получены на подложках GaAs (111) методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии. Структурное качество пленок исследовано с помощью высокоразрешающей рентгеновской дифракции. Химический состав поверхности GaAs и состав пленок GaN исследовались методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Показано, что при низких температурах на начальных стадиях роста на поверхности GaAs образуются связи Ga-N и As-N. Исследовано состояние границы раздела пленка-подложка. Установлено, что длительный отжиг пленок GaN в радикалах азота приводит к сдвигу состава в сторону избытка азота. PACS: 61.10.Nz, 79.60.Jv
- S.J. Pearton, J.C. Zolper, R.J. Shul, F. Ren. J. Appl. Phys., 86 (1), 1 (1999)
- M. Asif Khan, M. Shatalov, H.P. Maruska, H.M. Wang, E. Koukstis. Jap. J. Appl. Phys., 44 (10), 7191 (2005)
- O. Ambacher. J. Phys. D, 31 (20), 2653 (1998)
- M. Bockowski. Physica B, 265, 1 (1999)
- A. Kikuchi, H. Hoshi, K. Kishino. Jap. J. Appl. Phys., 33 (1B), 688 (1994)
- A.N. Georgobiani, M.B. Kotlyarevsky, I.V. Rogozin. Inorg. Mater., 40, Suppl. 1, S1 (2004)
- T. Ito, M. Sumiya, Y. Takano, K. Ohtsuka, D. Fuke. Jap. J. Appl. Phys., 38 (2A), 649 (1999)
- Z. Li, H. Chen, H. Liu, N. Yang, M. Zhang, L. Wan, Q. Huang, J. Zhou, K. Tao. Jap. J. Appl. Phys., 39 (8), 4704 (2000)
- S. Strite, J. Ruan, Z. Li, A. Salvador, H. Chen, D.J. Smith, W.J. Choyke, H. Marko c. J. Vac. Sci. Technol. B, 10 (4), 1924 (1992)
- H. Sugiyma, M. Shinohara, K. Wada. Appl. Surf. Sci., 117/118, 546 (1997)
- Q.-K. Xue, Q.-Zh. Xue, Y. Hasegawa, I.S.T. Tsong, T. Sakurai. Jap. J. Appl. Phys., 36 (11B), L1486 (1997)
- A.N. Georgobiani, M.B. Kotlyarevsky. Nucl. Phys. B --- Proc. Suppl., 61, 341 (1998)
- Т.В. Бутхузи, А.Н. Георгобиани, Е. Зада-Улы, Б.Т. Эльтазаров, Т.Г. Хулордава. Тр. ФИАН, 182, 140 (1987)
- P. Hill, D.I. Westwood, L. Haworth, j. Lu, J.E. Macdonald. J. Vac. Sci. Technol. B, 15 (4), 1133 (1997)
- J.F. Moulder, W.F. Stickle, P.E. Sobol, K.D. Bomben. Handbook of X-ray photoelectron spectroscopy (Minnesota, Perkin-Elmer Corporaton. Eden Prairie MN, 1992)
- K.M. Tracy, W.J. Mecouch, R.F. Davis, R.J. Nemanich. J. Appl. Phys., 94 (5), 3163 (2003)
- X.-Y. Zhu, M. Wolf, T. Huett, J.M. White. J. Chem. Phys., 97 (8), 5856 (1992)
- I. Aksenov, Y. Nakada, H. Okumura. Jap. J. Appl. Phys., 37 (8B), L972 (1998)
- Y. Zang, G. Du, X. Wang, W. Li, X. Yang, Y. Ma, B. Zhao, H. Yang, D. Liu, Sh. Yang. J. Cryst. Growth, 252, 180 (2003)
- И.В. Рогозин, А.В. Мараховский. ЖПС, 72 (6), 760 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
