"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок нитрида галлия, полученных методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии
Рогозин И.В.1, Котляревский М.Б.2
1Бердянский государственный педагогический университет, Бердянск, Украина
2Академия управления и информационных технологий, Бердянск, Украина
Поступила в редакцию: 20 сентября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2007 г.

Тонкие пленки GaN получены на подложках GaAs (111) методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии. Структурное качество пленок исследовано с помощью высокоразрешающей рентгеновской дифракции. Химический состав поверхности GaAs и состав пленок GaN исследовались методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Показано, что при низких температурах на начальных стадиях роста на поверхности GaAs образуются связи Ga-N и As-N. Исследовано состояние границы раздела пленка-подложка. Установлено, что длительный отжиг пленок GaN в радикалах азота приводит к сдвигу состава в сторону избытка азота. PACS: 61.10.Nz, 79.60.Jv
  1. S.J. Pearton, J.C. Zolper, R.J. Shul, F. Ren. J. Appl. Phys., 86 (1), 1 (1999)
  2. M. Asif Khan, M. Shatalov, H.P. Maruska, H.M. Wang, E. Koukstis. Jap. J. Appl. Phys., 44 (10), 7191 (2005)
  3. O. Ambacher. J. Phys. D, 31 (20), 2653 (1998)
  4. M. Bockowski. Physica B, 265, 1 (1999)
  5. A. Kikuchi, H. Hoshi, K. Kishino. Jap. J. Appl. Phys., 33 (1B), 688 (1994)
  6. A.N. Georgobiani, M.B. Kotlyarevsky, I.V. Rogozin. Inorg. Mater., 40, Suppl. 1, S1 (2004)
  7. T. Ito, M. Sumiya, Y. Takano, K. Ohtsuka, D. Fuke. Jap. J. Appl. Phys., 38 (2A), 649 (1999)
  8. Z. Li, H. Chen, H. Liu, N. Yang, M. Zhang, L. Wan, Q. Huang, J. Zhou, K. Tao. Jap. J. Appl. Phys., 39 (8), 4704 (2000)
  9. S. Strite, J. Ruan, Z. Li, A. Salvador, H. Chen, D.J. Smith, W.J. Choyke, H. Marko c. J. Vac. Sci. Technol. B, 10 (4), 1924 (1992)
  10. H. Sugiyma, M. Shinohara, K. Wada. Appl. Surf. Sci., 117/118, 546 (1997)
  11. Q.-K. Xue, Q.-Zh. Xue, Y. Hasegawa, I.S.T. Tsong, T. Sakurai. Jap. J. Appl. Phys., 36 (11B), L1486 (1997)
  12. A.N. Georgobiani, M.B. Kotlyarevsky. Nucl. Phys. B --- Proc. Suppl., 61, 341 (1998)
  13. Т.В. Бутхузи, А.Н. Георгобиани, Е. Зада-Улы, Б.Т. Эльтазаров, Т.Г. Хулордава. Тр. ФИАН, 182, 140 (1987)
  14. P. Hill, D.I. Westwood, L. Haworth, j. Lu, J.E. Macdonald. J. Vac. Sci. Technol. B, 15 (4), 1133 (1997)
  15. J.F. Moulder, W.F. Stickle, P.E. Sobol, K.D. Bomben. Handbook of X-ray photoelectron spectroscopy (Minnesota, Perkin-Elmer Corporaton. Eden Prairie MN, 1992)
  16. K.M. Tracy, W.J. Mecouch, R.F. Davis, R.J. Nemanich. J. Appl. Phys., 94 (5), 3163 (2003)
  17. X.-Y. Zhu, M. Wolf, T. Huett, J.M. White. J. Chem. Phys., 97 (8), 5856 (1992)
  18. I. Aksenov, Y. Nakada, H. Okumura. Jap. J. Appl. Phys., 37 (8B), L972 (1998)
  19. Y. Zang, G. Du, X. Wang, W. Li, X. Yang, Y. Ma, B. Zhao, H. Yang, D. Liu, Sh. Yang. J. Cryst. Growth, 252, 180 (2003)
  20. И.В. Рогозин, А.В. Мараховский. ЖПС, 72 (6), 760 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.