Вышедшие номера
О квазилокальных состояниях Sn в Bi2Te3 на основе исследования гальваномагнитных эффектов в классических и квантующих магнитных полях
Лайхо Р.1, Немов С.А.2, Лашкул А.В.3, Лахдеранта Э.3, Свечникова Т.Е.4, Дворник Д.С.2,3
1Лаборатория Вихури, Университет Турку, FI Турку, Финляндия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Лаппеенрантский технологический университет, Лаппеенранта, Финляндия
4Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 10 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2007 г.

В монокристаллах p-Bi2Te3 с высоким содержанием примеси Sn, выращенных методом Чохральского, исследованы гальваномагнитные свойства в классических и квантующих магнитных полях до 12 Тл при ориентации магнитного поля вдоль тригональной оси C3. Экспериментально и теоретически исследованы зависимости коэффициента Холла и поперечного магнитосопротивления от магнитного поля. Для шестиэллипсоидной модели энергетического спектра Дрэббла-Вольфа предложен и апробирован для кристаллов Bi2Te3 : Sn метод оценки холл-фактора и холловской подвижности носителей заряда на основе магнитополевой зависимости коэффициента Холла. Наблюдались осцилляции Шубникова-де-Гааза и холловской компоненты тензора сопротивления rhoxy при температурах T=4.2 и 11 K. Получены новые свидетельства в пользу существования частично заполненной электронами узкой полосы примесных состояний Sn на фоне зонного спектра легких дырок. Сделаны оценки параметров примесных состояний: их энергия ESn~ 15 мэВ уширение Gamma<< kT, радиус локализации примесного состояния R~ 30 Angstrem. PACS: 72.20My, 72.60.+g, 72.80.Jc
  1. М.К. Житинская, С.А. Немов, Т.Е. Свечникова. ФТТ, 40 (8), 1428 (1998)
  2. И.В. Гасенкова, М.К. Житинская, С.А. Немов, Т.Е. Свечникова. ФТТ, 41 (11), 1969 (1999)
  3. М.К. Житинская, С.А. Немов, Т.Е. Свечникова, Л.Н. Лукьянова, П.П. Константинов, В.А. Кутасов. ФТТ, 45 (7), 1193 (2003)
  4. М.К. Житинская, С.А. Немов, Т.Е. Свечникова, П. Рейнсхаус, Э. Мюллер. ФТП, 34 (12), 1417 (2000)
  5. В.А. Кульбачинский, Н.Е. Клокова, С.Я. Скипидаров, Я. Горак, П. Лоштяк, С.А. Азоу. Вестн. МГУ. Сер. 3. Физика, астрономия, 30 (3), (1989)
  6. В.И. Кайданов, Ю.И. Равич. УФН, 145 (1), 51 (1985)
  7. С.А. Немов, Ю.И. Равич. УФН, 168 (8), 816 (1998)
  8. Т.Е. Свечникова, С.Н. Чижевская, Н.М. Максимова. Неорг. матер., 30, 161 (1994)
  9. Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3 (M., 1972)
  10. C. Herring. J. Appl. Phys., 31 (11), 1939 (1960)
  11. Б.М. Аскеров. Кинетические эффекты в полупроводниках (Л., Наука, 1970)
  12. J.R. Drabble, R. Wolfe. Proc. Phys. Soc., 69, 1101 (1956)
  13. L.R. Testardi, P.J. Stiles, E. Burstein. Sol. St. Commun., 1, 28 (1963)
  14. В.В. Сологуб, Р.В. Парфеньев, А.Д. Голецкая. Письма ЖЭТФ, 21 (12), 711 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.