"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности электрофизических свойств твердых растворов InxGa1-xN
Комиссарова Т.А.1, Матросов Н.Н.1, Рябова Л.И.1, Хохлов Д.Р.1, Жмерик В.Н.2, Иванов С.В.2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 сентября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2007 г.

Исследованы температурные зависимости коэффициента Холла и удельного сопротивления твердых растворов InxGa1-xN при 0=< x=< 1. Установлено, что при x=< 0.4 температурные зависимости коэффициента Холла и удельного сопротивления имеют активационный участок. Энергия активации линейно зависит от содержания индия в твердом растворе. При x~ 0.5 активационный участок исчезает. Основной механизм рассеяния зависит от температуры, от плотности дефектов в пленке, в существенной степени определяемой используемыми промежуточными слоями GaN, и от состава твердого раствора x. PACS: 61.66.Fn, 61.82.Fk, 68.55.Ln, 68.60.-p
  1. C.H. Swartz, R.P. Tompkins, N.C. Giles. J. Cryst. Growth. 269, 29 (2004)
  2. S.P. Fu, Y.F. Chen. Appl. Phys. Lett., 85(9), 1523 (2004)
  3. S. Pereira, M.R. Correia, T. Monteiro, E. Pereira, E. Alves, A.D. Sequeira, N. Franco. Appl. Phys. Lett., 78(15), 2137 (2001)
  4. K.P. O'Donnell, I. Fernandez--Torrente. J. Cryst. Growth, 369, 100 (2004)
  5. S. Bloom, G. Harbeke, E. Meier, I.B. Ortenburger. Phys. Status Solidi, 66, 161 (1974)
  6. W. Walukiewicz. Physica E, 20, 300 (2004)
  7. I. Vurgaftman, J.R. Meyer. Appl. Phys. Rev., 94(6), 3675 (2003).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.