Особенности электрофизических свойств твердых растворов InxGa1-xN
Комиссарова Т.А.1, Матросов Н.Н.1, Рябова Л.И.1, Хохлов Д.Р.1, Жмерик В.Н.2, Иванов С.В.2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 сентября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2007 г.
Исследованы температурные зависимости коэффициента Холла и удельного сопротивления твердых растворов InxGa1-xN при 0=< x=< 1. Установлено, что при x=< 0.4 температурные зависимости коэффициента Холла и удельного сопротивления имеют активационный участок. Энергия активации линейно зависит от содержания индия в твердом растворе. При x~ 0.5 активационный участок исчезает. Основной механизм рассеяния зависит от температуры, от плотности дефектов в пленке, в существенной степени определяемой используемыми промежуточными слоями GaN, и от состава твердого раствора x. PACS: 61.66.Fn, 61.82.Fk, 68.55.Ln, 68.60.-p
- C.H. Swartz, R.P. Tompkins, N.C. Giles. J. Cryst. Growth. 269, 29 (2004)
- S.P. Fu, Y.F. Chen. Appl. Phys. Lett., 85(9), 1523 (2004)
- S. Pereira, M.R. Correia, T. Monteiro, E. Pereira, E. Alves, A.D. Sequeira, N. Franco. Appl. Phys. Lett., 78(15), 2137 (2001)
- K.P. O'Donnell, I. Fernandez--Torrente. J. Cryst. Growth, 369, 100 (2004)
- S. Bloom, G. Harbeke, E. Meier, I.B. Ortenburger. Phys. Status Solidi, 66, 161 (1974)
- W. Walukiewicz. Physica E, 20, 300 (2004)
- I. Vurgaftman, J.R. Meyer. Appl. Phys. Rev., 94(6), 3675 (2003).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
