"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Evolution of luminescence properties of natural oxide on silicon and porous silicon
Sokolov R.V.1, Zamoryanskaya M.V.1, Kolesnikova E.V.1, Sokolov V.I.1
1Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
Поступила в редакцию: 16 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2007 г.

The main aim of this study is to research the features of luminescence properties of natural silicon oxide layers formed on the polished silicon surface, structural silicon surface and porous silicon films. Luminescence was excited by high energy electron beams - the local cathodoluminescence method. Cathodoluminescence of the samples was studied in 3, 24 and 48 days after preparation. PACS: 78.60.Hk, 78.66.Db
  1. S. Takeoka, M. Fujii, S. Hayashi, K. Yamamoto. Phys. Rev. B, 58, 792 (1998)
  2. M.S. Bresler, I.N. Yassievich. Semiconductors, 27, 475 (1993)
  3. M. Takeguchi, K. Furuya, K. Yoshinara. Jpn. J. Appl. Phys., Pt 1, 38, 7140 (1999)
  4. R. Salh, A. von Czarnowski, M.V. Zamoryanskaya, E.V. Kolesnikova, H.J. Fitting. Phys. Status Solidi A, 203, 2049 (2006)
  5. L. Skuja. J. Non-Cryst. Sol., 167, 229 (1994)
  6. M.V. Zamoryanskaya, V.I. Sokolov, I.M. Kotina, C.G. Konnikov. Proc. 7th Int. Symp. on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films (Paris, April 27--May 2, 2003) p. 348
  7. M.V. Zamoryanskaya, V.I. Sokolov. Sol. St. Phenomena, 108--109, 649 (2005)
  8. M.V. Zamoryanskaya, S.G. Konnikov, A.N. Zamoryanskii. Instruments and Experimental Techniques, 47, 477 (2004)
  9. M.V. Zamoryanskaya, V.I. Sokolov, V. Plotnikov. Appl. Surf. Sci., 234, 214 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.