"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Cathodoluminescence and TEM studies of HVPE GaN layers grown on porous SiC substrates
Kolesnikova E.1, Mynbaeva M.1, Sitnikova A.1
1Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
Поступила в редакцию: 12 сентября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2007 г.

Plain-view-field transmission electron microscopy and cathodoluminescence are used to study the defect structure of GaN films grown by hydride vapour-phase epitaxy on porous and non-porous SiC substrates. It is shown that the use of porous substrate reduces the mosaic structure of the films. This finding supports the compliance of porous SiC substrates, which was proposed by the authors earlier. PACS: 61.43.Gt, 61.72.Ff, 68.37.Lp, 68.55.Jk, 78.60.Hk
  1. F. Yun, S. Dov gan, Y.T. Moon, Y. Fu, J. Xu, D. Johnstone, H. Morkoc. Phys. Status Solidi C, 2, 2087 (2005)
  2. A. Sagar, C.D. Lee, R. Feenstra, C.K. Inoki, T.S. Kuan. J. Vac. Sci. Technol., B21, 1812 (2003)
  3. C.K. Inoki, T.S. Kuan, C.D. Lee, A. Sagar, R.M. Feenstra, D.D. Koleske, D.J. Diaz, P.W. Bohn, I. Aldesida. J. Electron. Mater., 32, 855 (2003).
  4. М.Г. Мынбаева, О.В. Константинов, К.Д. Мынбаев, А.Е. Романов, А.А. Ситникова. Письма ЖТФ, 32 (23), 25 (2006)
  5. К.Д. Мынбаев, М.Г. Мынбаева, А.С. Зубрилов, Н.А. Середова. Письма ЖТФ, 33 (2), 74 (2007).
  6. M.G. Mynbaeva, D.A. Bauman, K.D. Mynbaev. Phys. Sol. St., 47, 1571 (2005)
  7. M. Mynbaeva. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 742, 303 (2003)
  8. A.E. Nikolaev, I. Nikitina, A. Zubrilov, M. Mynbaeva, Yu. Melnik, V. Dmitriev. MRS Int. J. Nitride Semicond. Res., 5S1, W6 (2000)
  9. M.V. Zamoryanskaya, S.G. Konnikov, A.N. Zamoryanskiy. Instruments and Experimental Techniques, 47 (4), 477 (2004)
  10. F.A. Ponce, D.P. Bour, W. Gotz, P.J. Wright. Appl. Phys. Lett., 68, 57 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.