"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Квазистатическая емкость слабо компенсированного полупроводника с прыжковой электропроводностью (на примере p-Si : B)
Поклонский Н.А.1, Вырко С.А.1, Забродский А.Г.2
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 апреля 2006 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2006 г.

Рассматривается умеренно легированный полупроводник на изоляторной стороне фазового перехода изолятор-металл, когда акцепторы в зарядовых состояниях (-1), (0) и (+1) формируют A0- и A+-зоны. Получены выражения для длин экранирования внешнего электростатического поля по Дебаю-Хюккелю и Шоттки-Мотту при прыжковой миграции дырок по акцепторам. Проведен расчет квазистатической емкости полупроводника для области температур, когда прыжковые электропроводности дырок в A0-зоне и A+-зоне примерно равны. Показана возможность определения длины экранирования Дебая-Хюккеля исходя из измерений квазистатической емкости даже в условиях сильного поля, т. е. в приближении Шоттки-Мотта. Частота электрического сигнала при измерении квазистатической емкости полупроводника в структуре металл-диэлектрик-полупроводник должна быть много меньше средней частоты прыжков дырок по акцепторам (атомам бора в кремнии). PACS: 71.30.+h, 71.55.Cn, 72.20.Ee, 72.20.Fr
  1. P. Debye, E. Huckel. Phys. Zeitschrift, 24 (9), 185 (1923)
  2. Б.Н. Швилкин. УФН, 168 (5), 575 (1998)
  3. K. Norrish. Discussions of the Faraday Society, 18, 120 (1954)
  4. А.А. Веденов. Физика растворов (М., Наука, 1984)
  5. В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда (Новосибирск, Наука, 1984)
  6. S.M. Sze. Semiconductor Devices : Physics and Technology, 2nd ed. (N. Y., Wiley, 2001)
  7. А.Г. Забродский. ФТП, 14 (7), 1324 (1980)
  8. И.П. Звягин. ДАН СССР, 237 (1), 75 (1977)
  9. А.С. Веденеев, А.Г. Гайворонский, А.Г. Ждан, А. Моделли, В.В. Рыльков, Ю.Я. Ткач. Письма ЖЭТФ, 57 (10), 641 (1993)
  10. В.В. Болотов, Г.Н. Камаев, Г.Н. Феофанов, В.М. Эмексузян. ФТП, 24 (10), 1697 (1990)
  11. В.В. Супрунчик. ЖЭТФ, 110 (6(12) ), 2127 (1996)
  12. Д.Г. Есаев, С.П. Синица. ФТП, 34 (10), 1270 (2000)
  13. Н.А. Поклонский, С.А. Вырко. Изв. вузов. Физика, 45 (10), 70 (2002)
  14. Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, А.Г. Забродский. ФТТ, 46 (6), 1071 (2004)
  15. Е.М. Гершензон, А.П. Мельников, Р.И. Рабинович, Н.А. Серебрякова. УФН, 132 (2), 353 (1980)
  16. N.A. Poklonski, V.F. Stelmakh, V.D. Tkachev, S.V. Voitikov. Phys. Status Solidi B, 88 (2), K165 (1978)
  17. Н.А. Поклонский, С.Ю. Лопатин. ФТТ, 40 (10), 1805 (1998)
  18. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
  19. Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, С.Л. Поденок. Статистическая физика полупроводников (М., КомКнига, 2005)
  20. Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, А.Г. Забродский. ФТП, 40 (4), 400 (2006)
  21. Т.М. Лифшиц. ПТЭ, N 1, 10 (1993)
  22. Г. Бете, Э. Солпитер. Квантовая механика атомов с одним и двумя электронами (М., ГИФМЛ, 1961)
  23. J. Bethin, T.G. Castner, N.K. Lee. Sol. St. Commun., 14 (12), 1321 (1974)
  24. С.Л. Арутюнян. ФТТ, 47 (4), 581 (2005)
  25. A.G. Zabrodskii. Phil. Mag. B, 81 (9), 1131 (2001)
  26. Н.А. Поклонский, А.И. Сягло, Г. Бискупски. ФТП, 33 (4), 415 (1999)
  27. А.П. Мельников, Ю.А. Гурвич, Л.Н. Шестаков, Е.М. Гершензон. Письма ЖЭТФ, 71 (1), 28 (2000)
  28. W. Schottky. Naturwissenschaften, 26 (52), 843 (1938)
  29. N.F. Mott. Proc. Camb. Phil. Soc., 34 (2), 568 (1938)
  30. Л.Б. Елфимов, П.А. Иванов. ФТП, 28 (1), 161 (1994)
  31. А.Г. Ждан, Н.Ф. Кухарская, Г.В. Чучева. ФТП, 37 (6), 686 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.