Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2025, выпуск 9 » Статья стр. 511
>>>
Светлой памяти пионеров аморфных полупроводников Б.Т. Коломийца и Н.А. Горюновой посвящается Халькогенидные стеклообразные полупроводники в устройствах памяти и обработки информации (О б з о р)
РНФ, 25-49-00103
Колобов А.В.1,2, Лазаренко П.И.3,2
1Институт физики, Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2НИИ физических исследований, Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3Институт перспективных материалов и технологий, Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Москва, Зеленоград, Россия
Email: akolobov@me.com
Поступила в редакцию: 9 ноября 2025 г.
В окончательной редакции: 17 ноября 2025 г.
Принята к печати: 17 ноября 2025 г.
Выставление онлайн: 2 января 2026 г.
PDF версия
Открытие в 1955 году Б.Т. Коломийцем и Н.А. Горюновой полупроводниковых свойств халькогенидных стекол положило начало эре аморфных полупроводников. Настоящий обзор посвящен фазопеременным халькогенидам, которые в настоящее время нашли широкое применение в устройствах записи и обработки информации. После исторического введения рассматриваются структура и свойства этих материалов, а также современные взгляды на механизм обратимого фазового перехода между аморфным и кристаллическим состояниями и природу формирования контраста свойств между ними. Далее следует описание коммерческих устройств оптической и электронной энергонезависимой памяти. В конце обзора обсуждаются современные тенденции исследований и применений фазопеременных халькогенидов, в частности, в устройствах 3D XPoint памяти на основе порогового переключателя Овшинского, а также в электронных и фотонных нейроморфных сетях. Ключевые слова: халькогенидные стеклообразные полупроводники, фазопеременные материалы, эффект памяти, пороговый переключатель Овшинского, оптические диски, электронная энергонезависимая память, 3D XPoint память, нейроморфные сети.
  1. Б.Т. Коломиец, Н.А. Горюнова. ЖТФ, 25 (6), 984 (1955)
  2. N. Mott. Science, 201 (4359), 871 (1978)
  3. B.T. Kolomiets. J. Non-Cryst. Solids, 59, 973 (1983)
  4. S.R. Ovshinsky. Phys. Rev. Lett., 21 (20), 1450 (1968)
  5. L. Hoddeson, P. Garrett. The Man Who Saw Tomorrow: The Life and Inventions of Stanford R. Ovshinsky (Cambridge, Massachusetts, USA, MIT Press, 2018)
  6. Конгресс США, Протокол заседания от 11 сентября 2012 г., С. S6103. Режим доступа: https://www.congress.gov/112/crec/2012/09/11/CREC-2012-09-11-pt1-PgS6103.pdf (дата обращения: 01.10.2023 г.)
  7. S. Raoux, M. Wuttig. Phase-Change Materials: Science and Applications (Berlin, Germany, Springer, 2009)
  8. A.V. Kolobov, J. Tominaga. Chalcogenides: Metastability and Phase-Change Phenomena (Heidelberg, Germany, Springer, 2012)
  9. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (М., Наука, 1996)
  10. J. Orava, A.A. Greer, B. Gholipour, D.W. Hewak, C.E. Smith. Nature Materials, 11, 279 (2012)
  11. N. Yamada. MRS Bulletin, 21, 48 (1996)
  12. N. Yamada. Rev. Laser Eng., 28 (9), 585 (2000)
  13. H. Iwasaki, Y. Ide, M. Harigaya, Y.K. Kageyama, I.F. Fujimura. Jpn. J. Appl. Phys., 31 (1), 461 (1992)
  14. R.O. Jones. J. Phys.: Condens. Matter, 37, 113001 (2025)
  15. N. Yamada, T. Matsunaga. J. Appl. Phys., 88, 7020 (2000)
  16. T. Nonaka, G. Ohbayashi, Y. Toriumi, Y. Mori, H. Hashimoto. Thin Sol. Films, 370, 258 (2000)
  17. E.A. Stern, Y. Yacoby. J. Phys. Chem. Solids, 57 (10), 1449 (1996)
  18. D. Haskel, E.A. Stern, V. Polinger, F. Dogan. Phys. Rev. B, 64, 104510 (2001)
  19. H. Cheng, H. Yao, Y. Xu, J. Jiang, Y. Yang, J. Wang, X. Li, Y. Li, J. Shao. Chem. Mater., 36 (8), 3764 (2024)
  20. A.V. Kolobov, D.J. Kim, A. Giussani, P. Fons, J. Tominaga, R. Calarco, A. Gruverman. APL Materials, 2 (6), 066103 (2014)
  21. C. Rinaldi, S. Varotto, M. Asa, J. S awinska, J. Fujii, G. Vinai, S. Cecchi, D. Di Sante, R. Calarco, I. Vobornik, G. Panaccione. Nano Lett., 18, 2751 (2018)
  22. D. Di Sante, P. Barone, R. Bertacco, S. Picozzi. Adv. Mater., 25, 509 (2012)
  23. X. Zhang, Z. Bu, S. Lin, Z. Chen, W. Li, Y. Pei. Joule, 4, 986 (2020)
  24. H. Cheng, J. Zhang, C. Lin, X. Li, F. Peng, G. Li, Y. Li. J. Phys. Chem. C, 122, 28460 (2018)
  25. A.V. Kolobov, J. Tominaga, P. Fons, T. Uruga. Appl. Phys. Lett., 82, 382 (2003)
  26. A.H. Edwards, A.C. Pineda, P.A. Schultz, M.G. Martin, A.P. Thompson, H.P. Hjalmarson. J. Phys.: Condens. Matter, 17, L329 (2005)
  27. T. Chattopadhyay, J.X. Boucherle. J. Phys. C: Solid State Phys., 20, 1431 (1987)
  28. M. Krbal, A.V. Kolobov, P. Fons, R.E. Simpson, T. Matsunaga, J. Tominaga, N. Yamada. Phys. Rev. B, 84, 104106 (2011)
  29. P. Fons, A.V. Kolobov, M. Krbal, J. Tominaga, K.S. Andrikopoulos, S.N. Yannopoulos, G.A. Voyiatzis, T. Uruga. Phys. Rev. B, 82, 155209 (2010)
  30. T. Matsunaga, P. Fons, A.V. Kolobov, J. Tominaga, N. Yamada. Appl. Phys. Lett., 99, 231906 (2011)
  31. T. Egami, S.J. Billinge. Underneath the Bragg Peaks: Structural Analysis of Complex Materials (Oxford, UK, Elsevier, 2012)
  32. B.K. Teo. EXAFS: Basic Principles and Data Analysis (Berlin, Germany, Springer Verlag, 2012)
  33. A.V. Kolobov, P. Fons, A.I. Frenkel, A.L. Ankudinov, J. Tominaga, T. Uruga. Nature Materials, 3, 703 (2004)
  34. H. Zhang, C.X. Liu, X.L. Qi, X. Dai, Z. Fang, S.C. Zhang. Nature Physics, 5, 438 (2009)
  35. B. Xu, J. Zhang, G. Yu, S. Ma, Y. Wang, Y. Wang. J. Appl. Phys., 124, 165106 (2018)
  36. Y. Zheng, M. Xia, Y. Cheng, F. Rao, K. Ding, W. Liu, Y. Jia, Z. Song, S. Feng. Nano Research, 9, 3453 (2016)
  37. Y. Zheng, W. Song, Z. Song, Y. Zhang, T. Xin, C. Liu, Y. Xue, S. Song, B. Liu, X. Lin, V.G. Kuznetsov, I.I. Tupitsyn, A.V. Kolobov, Y. Cheng. Adv. Sci., 11, 2301021 (2024)
  38. F. Betts, A. Bienenstock, S.R. Ovshinsky. J. Non-Cryst. Solids, 4, 554 (1970)
  39. K. Hirota, K. Nagino, G. Ohbayashi. J. Appl. Phys., 82, 65 (1997)
  40. S.J. Pickart, Y.P. Sharma, J.P. de Neufville. J. Non-Cryst. Solids, 34, 183 (1979)
  41. P. Ma, H. Tong, T. Huang, M. Xu, N. Yu, X. Cheng, C.J. Sun, X. Miao. J. Phys. Chem. C, 121, 1122-8 (2017)
  42. G. Lucovsky, R.M. White. Phys. Rev. B, 8, 660 (1973)
  43. K. Shportko, S. Kremers, M. Woda, D. Lencer, J. Robertson, M. Wuttig. Nature Materials, 7, 653 (2008)
  44. Y. Cheng, S. Wahl, M. Wuttig. Phys. Status Solidi RRL, 15, 2000482 (2021)
  45. R.O. Jones, S.R. Elliott, R. Dronskowski. Adv. Mater., 35, 2300836 (2023)
  46. A.V. Kolobov, M. Krbal, P. Fons, J. Tominaga, T. Uruga. Nature Chemistry, 3, 311 (2011)
  47. J. Akola, R.O. Jones. Phys. Rev. B, 76, 235201 (2007)
  48. S. Caravati, M. Bernasconi, T.D. Kuhne, M. Krack, M. Parrinello. Appl. Phys. Lett., 91, 171906 (2007)
  49. M. Micoulaut, A. Piarristeguy, H. Flores-Ruiz, A. Pradel. Phys. Rev. B, 96, 184204 (2017)
  50. J. Hegedus, S.R. Elliott. Nature Materials, 7, 399 (2008)
  51. M. Boniardi, D. Ielmini. Appl. Phys. Lett., 98, 242106 (2011)
  52. M. Boniardi, D. Ielmini, S. Lavizzari, A.L. Lacaita, A. Redaelli, A. Pirovano, IEEE Trans. Electron Dev., 57, 2690 (2010)
  53. P. Noe, C. Sabbione, N. Castellani, G. Veux, G. Navarro, V. Sousa, F. Hippert, F. d'Acapito. J. Phys. D: Appl. Phys., 49, 035305 (2015)
  54. T. Matsunaga, J. Akola, S. Kohara, T. Honma, K. Kobayashi, E. Ikenaga, R.O. Jones, N. Yamada, M. Takata, R. Kojima. Nature Materials, 10, 129 (2011)
  55. K. Sokolowski-Tinten, J. Bialkowski, M. Boing, A. Cavalleri, D. von der Linde. Phys. Rev. B, 58, R11805 (1998)
  56. A. Rousse, C. Rischel, S. Fourmaux, I. Uschmann, S. Sebban, G. Grillon, P. Balcou, E. Forster, J.P. Geindre, P. Audebert, J.C. Gauthier. Nature, 410, 65 (2001)
  57. X.B. Li, X.Q. Liu, X. Liu, D. Han, Z. Zhang, X.D. Han, H.B. Sun, S.B. Zhang. Phys. Rev. Lett., 107, 015501 (2011)
  58. S.C. Tiwari, R.K. Kalia, A. Nakano, F. Shimojo, P. Vashishta, P.S. Branicio. J. Phys. Chem. Lett., 11, 10242 (2020)
  59. L. Yang, S.C. Tiwari, S. Fukushima, F. Shimojo, R.K. Kalia, A. Nakano, P. Vashishta, P.S. Branicio. J. Phys. Chem. Lett., 13, 10230 (2022)
  60. P. Fons, H. Osawa, A.V. Kolobov, T. Fukaya, M. Suzuki, T. Uruga, N. Kawamura, H. Tanida, J. Tominaga. Phys. Rev. B, 82, 041203 (2010)
  61. C.H. Lam. History of Phase Change Memories. In: S. Raoux, M. Wuttig (eds). Phase Change Materials (Boston, MA, Springer, 2009) c. 1
  62. T. Ohta. J. Optoelectron. Adv. Mater., 3, 609 (2001)
  63. N. Yamada. MRS Bull., 21, 48 (1996)
  64. N. Yamada. Rev. Laser Eng., 28, 585 (2000)
  65. T. Shima, T. Nakano, J. Kim, J. Tominaga. Jpn. J. Appl. Phys., 44, 3631 (2005)
  66. 3D XPoint. Wikipedia, The Free Encyclopedia. Режим доступа: https://en.wikipedia.org/wiki/3D_XPoint (дата обращения: 03.11.2025 г.)
  67. Intel 3D XPoint Memory Die Removed from Intel OptaneTM PCM (Phase Change Memory). Режим доступа: https://web.archive.org/web/20171201031032/ http://techinsights.com/about-techinsights/overview/blog/ intel-3D-xpoint-memory-die-removed-from-intel-optane-pcm/ (дата обращения: 05.11.2025)
  68. Официальный сайт STMicroelectronics. Press Item N t4687 // newsroom.st.com. Режим доступа: https://newsroom.st.com/media-center/press-item.html/ t4687.html (дата обращения: 04.11.2025)
  69. X. Li, H. Chen, C. Xie, D. Cai, S. Song, Y. Chen, D. Cai, Y. Lei, M. Zhu, Z. Song. Phys. Status Solidi RRL, 13, 1800558 (2019)
  70. F. Arnaud, P. Zuliani, J. Reynard, A. Gandolfo, F. Disegni, P. Mattavelli, E. Gomiero, G. Samanni, C. Jahan, R. Berthelon, O. Weber, E. Richard, V. Barral, A. Villaret, S. Kohler et al. Truly innovative 28 nm FDSOI technology for automotive micro-controller applications embedding 16 MB phase change memory // Proc. IEEE Int. Electron Dev. Meet. (San Francisco, USA, 2018)
  71. Официальный сайт STMicroelectronics. Phase Change Memory (PCM) // st.com. Режим доступа: https://www.st.com/content/st_com/en/about/ innovation-technology/PCM.html (дата обращения: 04.11.2025)
  72. Z. Zhao, S. Clima, D. Garbin, R. Degraeve, G. Pourtois, Z. Song, M. Zhu. Nano-Micro Lett., 16, 81 (2024)
  73. D.M. Kroll. Phys. Rev. B, 9, 1669 (1974)
  74. V.G. Karpov, Y.A. Kryukov, I.V. Karpov, M. Mitra. Phys. Rev. B, 78, 052201 (2008)
  75. G.C. Vezzoli, P.J. Walsh, L.W. Doremus. J. Non-Cryst. Solids, 18, 333 (1975)
  76. D. Ielmini. Phys. Rev. B, 78, 035308 (2008)
  77. P. Fantini, N. Polino, A. Ghetti, D. Ielmini. Adv. Electron. Mater., 9, 2300037 (2023)
  78. F. Buscemi, E. Piccinini, L. Vandelli, F. Nardi, A. Padovani, B. Kaczer, D. Garbin, S. Clima, R. Degraeve, G.S. Kar, F. Tavanti, A. Slassi, A. Calzolari, L. Larcher. IEEE Trans. Electron Dev., 70, 1808 (2023)
  79. T. Ravsher, R. Degraeve, D. Garbin, A. Fantini, S. Clima, G.L. Donadio, S. Kundu, H. Hody, W. Devulder, J. Van Houdt, V. Afanas'ev. Proc. Int. Electron Dev. Meet., 18, 2300415 (2021)
  80. S. Hong, H. Choi, J. Park, Y. Bae, K. Kim, W. Lee, S. Lee, H. Lee, S. Cho, J. Ahn, S. Kim. Proc. Int. Electron Dev. Meet. (San Francisco, California, USA, 2022) p. 18
  81. T. Ravsher, D. Garbin, A. Fantini, R. Degraeve, S. Clima, G.L. Donadio, S. Kundu, H. Hody, W. Devulder, G. Potoms, T. Peissker. Phys. Status Solidi RRL, 18, 2300415 (2024)
  82. H.J. Sung, M. Choi, Z. Wu, H. Chae, S. Heo, Y. Kang, B. Koo, J.B. Park, W. Yang, Y. Park, Y. Ham. Adv. Sci., 11, 2408028 (2024)
  83. J. Park. Electronics, 9, 1414 (2020)
  84. C. Li, M. Hu, Y. Li, H. Jiang, N. Ge, E. Montgomery, J. Zhang, W. Song, N. Davila, C.E. Graves, Z. Li, J.P. Strachan, P. Lin, Z. Wang, M. Barnell, Q. Wu, R.S. Williams, J.J. Yang, Q. Xia. Nature Electronics, 1, 52 (2018). DOI: 10.1038/s41928-017-0002-z
  85. A.I. Iliasov, A.V. Emelyanov, V.V. Rylkov, A.N. Matsukatova, E.V. Kukueva, I.D. Kuchumov, P.A. Forsh, A.V. Sitnikov, V.A. Demin, P.K. Kashkarov, M.V. Kovalchuk. J. Phys. D: Appl. Phys., 58, 365305 (2025)
  86. P.E. Lvov, R.T. Sibatov, R.M. Ryazanov, D.V. Novikov. Materials Today Commun., 38, 108464 (2024)
  87. C.D. Wright, L. Wang, M.M. Aziz, J.A.V. Diosdado, P. Ashwin. Phys. Status Solidi B, 249, 1978 (2012)
  88. А.С. Ильин, А.Н. Мацукатова, М.Н. Мартышов, А.В. Емельянов, В.В. Рыльков, В.А. Демин, П.А. Форш, П.К. Кашкаров, М.В. Ковальчук. УФН, принято к публикации. DOI: 10.3367/UFNr.2025.09.040037
  89. Abu Sebastian, M. Le Gallo, E. Eleftheriou. J. Phys. D: Appl. Phys., 52, 443002 (2019)
  90. M. Rutten, M.E. Kaes, A. Albert, M.Wuttig. Sci. Rep., 5, 1 (2015).
  91. M. Suri, D. Garbin, O. Bichler, D. Querlioz, D. Vuillaume, C. Gamrat, B. De Salvo. 2013 IEEE ACM Int.Symp. on Nanoscale Architectures (NANOARCH), (Brooklyn, N. Y., USA, 2013) p. 140
  92. E. Trusov, Y. Vorobyov, A. Ermachikhin, L. Al-Khadge, A. Yakubov, D. Terekhov, P. Lazarenko, S. Kozyukhin. J. Phys. D: Appl. Phys., 58, 305104 (2025)
  93. D. Ielmini, A.L. Lacaita, D. Mantegazza. IEEE Trans. Electron Dev., 54, 308--315 (2007)
  94. A. Pirovano, A.L. Lacaita, A. Benvenuti, F. Pellizzer, R. Bez. IEEE Trans. Electron Dev., 51, 714 (2004)
  95. I.V. Karpov, M. Mitra, D. Kau, G. Spadini, Y.A. Kryukov,V.G. Karpov. J. Appl. Phys., 102, 124503 (2007)
  96. M. Mitra, Y. Jung, D.S. Gianola, R. Agarwal. Appl. Phys. Lett., 96, 222111 (2010)
  97. M.L. Gallo, D. Krebs, F. Zipoli, M. Salinga, A. Sebastian. Adv. Electron. Mater., 4 (9), 1700627 (2018)
  98. X. Wang, R. Wang, S. Sun, D. Xu, C. Nie, Z. Zhou, C. Wen, J. Zhang, R. Chu, X. Shen, W. Zhou, Z. Song, J.-J. Wang, E. Ma, W. Zhang. Nature Mater. (2025). DOI: 10.1038/s41563-025-02361-0
  99. А.И. Мусорин, А.С. Шорохов, А.А. Чежегов, Т.Г. Балуян, К.Р. Сафронов, А.В. Четвертухин, А.А. Грунин, А.А. Федянин. УФН, 193, 1284 (2023)
  100. C. Lian, Ch. Vagionas, Th. Alexoudi, N. Pleros, N. Youngblood, C. Ri os. Nanophotonics, 11 (17), 3823 (2022)
  101. W.H.P. Pernice, H. Bhaskaran. Appl. Phys. Lett., 101, 171101 (2012)
  102. T. Li, Y. Li, Y. Wang, Y. Liu, Y. Liu, Z. Wang, R. Miao, D. Han, Z. Hui, W. Li. Nanomaterials, 13, 1756 (2023)
  103. X. Chen, Y. Xue, Y. Sun, J. Shen, S. Song, M. Zhu, Z. Song, Z. Cheng, P. Zhou. Adv. Mater., 35, 2203909 (2023)
  104. Z. Cheng, C. Ri os, W.H.P. Pernice, C.D. Wright, H. Bhaskaran. Sci. Adv., 3, e1700160 (2017)
  105. X. Chen, Y. Xue, Y. Sun, J. Shen, S. Song, M. Zhu, Z. Song, Z. Cheng, P. Zhou. Adv. Mater., 35 (37), 2203909 (2023)
  106. P. Lazarenko, V. Kovalyuk, P. An, A. Prokhodtsov, A. Golikov, A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, I. Fradkin, G. Chulkova, G. Goltsman. APL Mater., 9 (12), 121104 (2021)
  107. R. Sawant, A. Albanese, A. Rogemont, G. Gonzalez-Cortes, Y. Br\^le, L. Karam, J.-B. Jager, S. Malhouitre, B. Charbonnier, A. Coillet, P. Noe, B. Cluzel. Adv. Optical Mater., 13, e00775 (2025)
  108. Y. Fei, Y. Xu, Y. Dong, B. Zhang, Y. Ni. Appl. Optics, 62 (24), 6499 (2023)
  109. V.V. Ionin, A.V. Kiselev, A.A. Burtsev, V.A. Mikhalevsky, N.N. Eliseev, I.M. Asharchuk, V.I. Sokolov, A.A. Lotin. Appl. Phys. Lett., 119 (8), 081105 (2021)
  110. M. Stegmaier, C. Ri os, H. Bhaskaran, W.H.P. Pernice. ACS Photonics, 3 (5), 828(2016)
  111. W. Zhou, N. Farmakidis, J. Feldmann, X. Li, J. Tan, Y. He, C.D. Wright, W.H.P. Pernice, H. Bhaskaran. MRS Bulletin, 47, 502 (2022)
  112. M. Stegmaier, C. Ri os, H. Bhaskaran, C.D. Wright, W.H.P. Pernice. Adv. Opt. Mater., 5, 1600346 (2017)
  113. P. Lazarenko, V. Kovalyuk, P. An, S. Kozyukhin, V. Takats, A. Golikov, V. Glukhenkaya, Y. Vorobyov, T. Kulevoy, A. Prokhodtsov, A. Sherchenkov, G. Goltsman. Acta Mater., 234, 117994 (2022)
  114. S.A. Kozyukhin, P.I. Lazarenko, A.I. Popov, I.L. Eremenko. Russian Chem. Rev., 91, 9 (2022)
  115. N. Bala, B. Khan, K. Singh, P. Singh, A.P. Singh, A. Thakur. Mater. Adv., 4, 747 (2023)
  116. M. Delaney, I. Zeimpekis, D. Lawson, D.W. Hewak, O.L. Muskens. Adv. Funct. Mater., 30 (36), e2002447 (2020)
  117. X.B. Li, N.K. Chen, X.P. Wang, H.B. Sun. Adv. Funct. Mater., 28 (44), 1803380 (2018)
  118. P. Lazarenko, V. Kovalyuk, P. An, A. Prokhodtsov, A. Golikov, A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, I. Fradkin, G. Chulkova, G. Goltsman. APL Mater., 9, 121104 (2021)
  119. E. Menshikov, P. Lazarenko, V. Kovalyuk, S. Dubkov, N. Maslova, A. Prokhodtsov, A. Vorobyov, S. Kozyukhin, G. Goltsman, I.S. Sinev. ACS Appl. Mater. Interfaces, 16 (29), 38345 (2024)
  120. M. Wuttig, H. Bhaskaran, T. Taubner. Nature Photonics, 126, 465 (2017)
  121. S. Wen, X. Meng, M. Jiang, Y. Wang. Sci. Rep., 8 (1), 1 (2018)
  122. A.A. Gavdush, G.A. Komandin, V.V. Bukin, D.S. Ponomarev, L. Tan, W. Huang, Q. Shi. J. Appl. Phys., 134, 085103 (2023)
  123. J. Faneca, T.D. Bucio, F.Y. Gardes, A. Baldycheva. Appl. Phys. Lett., 116 (9) (2020)
  124. S. Seliverstov, S. Svyatodukh, A. Kozhukhovsky, D. Fudin, P. Lazarenko, D. Terekhov, A. Prokhodtsov, A. Nevzorov, E. Kitsyuk, A. Prikhodko, A. Shurakov, V. Kovalyuk, G. Goltsman. Optical Mater., 167, 117216 (2025)
  125. I. Chakraborty, G. Saha, K. Roy. Phys. Rev. Appl., 11, 014063 (2019)
  126. Z. Cheng, C. Ri os, W.H.P. Perniceet, C.D. Wright, H. Bhaskaran. Sci. Adv., 3 (9), e1700160 (2017)
  127. J. Feldmann, N. Youngblood, D. Wright, H. Bhaskaran, W.H.P. Pernice. Nature, 569, 208 (2019)
  128. J. Feldmann, N. Youngbloo, M. Karpov, H. Gehring, X. Li, M. Stappers, M. Le Gallo, X. Fu, A. Lukashchuk, A.S. Raja, J. Liu, C.D. Wright, A. Sebastian, T.J. Kippenberg, W.H.P. Pernice, H. Bhaskaran. Nature, 589, 52 (2021)
  129. N. Farmakidis, B. Dong, H. Bhaskaran. Nature Rev. Electr. Eng., 1, 358 (2024)
  130. D.V. Christensen, R. Dittmann, B. Linares-Barranco, A. Sebastian, M. Le Gallo, A. Redaelli, S. Slesazeck, T. Mikolajick, S. Spiga, S. Menzel, I. Valov, G. Milano, C. Ricciardi, S.-J. Liang, F. Miao et al. Neuromorph. Comput. Eng., 2 (2), 022501 (2022)
  131. P. Prabhathan, K.K.V. Sreekanth, J. Teng, J.H. Ko, Y.J. Yoo, H.-H. Jeang, Y. Lee, S. Zhang, T. Cao, C.-C. Popescu, B. Mills, T. Gu, Z.R. Chen, Y. Tong, Y. Wang, Q. He, Y. Lu, Z. Liu, H. Yu, A. Mandal, Y. Cui et al. iScience, 26 (10), 107946 (2023)
  132. M. Xu, X. Mai, J. Lin, W. Zhang, Y. Li, Y. He, H. Tong, X. Hou, P. Zhou, X. Miao. Adv. Funct. Mater., 30, 2003419 (2020)
  133. L. Wang, S.R. Lu, J. Wen. Nanoscale Res. Lett., 12, 347 (2017)
  134. S.A. Kozyukhin, P.I. Lazarenko, A.I. Popov, I.L. Eremenko. Russian Chem. Rev., 91, 9 (2022)
  135. C. Li, R. Pan, C. Gu, H. Guo, J. Li. Adv. Sci., 11, 2306344 (2024)
  136. G.S. Sarwat, M. Le Gallo, A. Sebastian. Chem. Rev., 125, 5163 (2025)
  137. B. Gholipour, A. Karvounis, J. Yin, C. Soci, K.F. MacDonald, N.I. Zheludev. NPG Asia Materials, 10, 533 (2018)
  138. Y. Meng, T. Cao, Y. Long. J. Appl. Phys., 128, 140904 (2020)
  139. C. Galarreta, I. Sinev, A.M. Alexeev, P. Trofimov, K. Ladutenko, S. Carrillo, E. Gemo, A. Baldycheva, J. Bertolotti, C.D. Wright. Optica, 7 (5), 476 (2020)
  140. C.R. De Galarreta, A.M. Alexeev, Y.-Y. Au, M. Lopez-Garcia, M. Klemm, M. Cryan. Adv. Funct. Mater., 28 (10), 1704993 (2018). DOI: 10.1002/adfm.201704993
  141. A.V. Pogrebnyakov, J.A. Bossard, J.P. Turpin, J.D. Musgraves, H.J. Shin, C. Rivero-Baleine et al. Opt. Mater. Express, 8 (8), 2264 (2018). DOI: 10.1364/OME.8.002264
  142. Cao, C. Wei, R.E. Simpson, L. Zhang, M.J. Cryan. Sci. Rep., 4, 3955 (2014). DOI: 10.1038/srep03955
  143. A.I. Solomonov, O.M. Kushchenko, K.I. Kasyanova, S.B. Isaeva, I.I. Shishkin, D.Y. Terekhov, P.I. Lazarenko, M.V. Rybin, S.S. Baturin, A.D. Sinelnik. Appl. Mater. Today, 37, 102135 (2024)
  144. T. Kunkel, Y. Vorobyov, M. Smayev, P. Lazarenko, A. Romashkin, S. Kozyukhin. Mater. Sci. Semicond. Proc., 139, 106350 (2022)
  145. A. Sajjad, O. Hemmatyar, M. Taghinejad, H. Taghinejad, A. Krasnok, A.A. Eftekhar, C. Teichrib, S. Deshmukh, M.A. El-Sayed, E. Pop, M. Wuttig, A. Al\`u, W. Cai, A. Adibi. Nature Commun., 13, 1696 (2022)
  146. W. Dong, H. Liu, J.K. Behera, L. Lu, R.J. Ng, K.V. Sreekanth, X. Zhou, J.K. Yang, R.E. Simpson. Adv. Funct. Mater., 29, 1806181 (2019)
  147. Z. Yu, J. Zheng, P. Xu, W. Zhang, Y. Wu. IEEE Phot.Technol. Lett., 30, 250 (2017)
  148. M. Singh, S.K. Raghuwanshi, T. Srinivas. Phys. Lett. A, 383, 3196 (2019)
  149. Z. Guo, X. Yang, F. Shen, Q. Zhou, J. Gao, K. Guo. Sci. Rep., 8, 1 (2018)
  150. Y. Wang, P. Landreman, D. Schoen, K. Okabe, A. Marshall, U. Celano, H.-S.P. Wong, J. Park, M.L. Brongersma. Nature Nanotechnol., 16, 667 (2021)
  151. Y. Li, J. Luo, X. Li, M. Pu, X. Ma, X. Xie, J. Shi, X. Luo. IEEE Photonics J., 12, 1 (2020)
  152. C.Y. Hwang, G.H. Kim, J.H. Yang, C.S. Hwang, S.M. Cho, W.J. Lee, J.E. Pi, J.H. Choi, K. Choi, H.O. Kim et al. Nanoscale, 10, 21648 (2018)
  153. Y. Qu, Q. Li, L. Cai, M. Pan, P. Ghosh, K. Du, M. Qiu. Light: Sci. Appl., 7, 26 (2018).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme