"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Индуцированный светом переход металл--диэлектрик в гетероструктуре n-GaAs/AlGaAs. Акустические методы исследования
Дричко И.Л.1, Дьяконов А.М.1, Смирнов И.Ю.1, Торопов А.И.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 4 апреля 2006 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2006 г.

Исследовалась гетероструктура n-GaAs/AlGaAs, "недолегированная" Si, в которой в отсутствие облучения проводимость в двумерном канале была при T=4.2 K меньше чем 10-8 Ом-1. С помощью последовательного облучения светодиодом проводимость в гетероструктуре можно было увеличивать на 5 порядков до ~10-3 Ом-1, что давало возможность изучать переход металл-диэлектрик на одном и том же образце и при одной и той же температуре. Предложен новый метод исследования перехода металл-диэлектрик с помощью акустоэлектронных эффектов. Они были измерены при последовательном облучении образца без магнитного поля и в магнитном поле до 6 Tл при T=4.2 K. Были определены реальная sigma1 и мнимая sigma2 компоненты высокочастотной проводимости sigmahf=sigma1-isigma2 и их отношение sigma2/sigma1. Показано, что переход металл-диэлектрик имеет перколяционный характер. Обнаружено, что вплоть до sigma1~10-7 Ом-1 система находится в диэлектрическом состоянии, электроны локализованы в минимумах случайного потенциала. При этом осуществляется прыжковый механизм высокочастотной проводимости, характеризующийся соотношением sigma2>> sigma1. По мере увеличения концентрации электронов электронные капли становятся все большего размера, и в них возникает высокочастотная проводимость. Механизм проводимости становится смешанным: параллельно прыжковому механизму возникает проводимость делокализованных электронов в металлических каплях. При дальнейшем росте проводимости (более 10-5 Ом-1) металлические капли заполняют всю поверхность, и реализуется металлическое состояние, при котором sigma2=0. Построена кривая, демонстрирующая зависимость относительной части поверхности, занятой металлическими каплями, от проводимости двумерного канала. PACS: 72.20.Ee, 73.50.Rb, 73.21.La, 73.63.Kv
  1. D.V. Lang, R.A. Logan. Phys. Rev. Lett., 39, 635 (1977)
  2. W. Knaf, A. Zduniak, L.N. Dmovski, S. Contreras, M.I. Dyakonov. Phys. Status Solidi B, 198, 267 (1996)
  3. D.J. Chadi, K.J. Chang. Phys. Rev. B, 39, 10 063 (1989)
  4. I.L. Drichko, A.M. Diakonov, I.Yu. Smirnov, Yu.M. Galperin, A.I. Toropov. Phys. Rev. B, 62, 7470 (2000)
  5. В.Л. Гуревич. ФТТ, 4, 909 (1962)
  6. А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 89, 1834 (1985)
  7. M. Pollak, T.H. Geballe. Phys. Rev., 122, 1742 (1961)
  8. Ю.М. Гальперин, Э.Я. Приев. ФТТ, 28, 692 (1986)
  9. И.Л. Дричко, И.Ю. Смирнов. ФТП, 31, 1092 (1997)
  10. А.А. Шашкин. УФН, 175, 139 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.