Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Синие флип-чип светодиоды на основе AlGaInN с удаленной сапфировой подложкой
Смирнова И.П.1, Марков Л.К.1, Закгейм Д.А.1, Аракчеева Е.М.1, Рымалис М.Р.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 15 февраля 2006 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2006 г.
Рассматриваются характеристики светодиодов на основе AlGaInN c удаленной сапфировой подложкой. Для удаления подложки применялся метод лазерного отделения (lift-off). Подложка удалялась с готового светодиодного кристалла, смонтированного методом флип-чип на кремниевой плате. С целью увеличения эффективности вывода света на поверхности n-GaN был создан рассеивающий рельеф методом реактивного ионного травления в газовой смеси Cl2:Ar. В результате этой операции было достигнуто увеличение внешней квантовой эффективности светодиодного кристалла на 25-30%. Светодиоды, изготовленные из кристаллов, полученных описанным способом, устойчиво работают в диапазоне токов накачки до 300 мА, достигая оптической мощности 110 мВт. PACS: 85.60.Jb, 85.40.Ls
- M. Yamada, T. Mitani, Y. Narukawa, S. Shioji, I. Niki, S. Sonobe, K. Deguchi, M. Sano, T. Mukai. Jap. J. Appl. Phys., 41, L1431 (2002)
- T. Fujii, Y. Gao, R. Sharma, E.L. Hu, S.P. DenBaars, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett., 84, 855 (2004)
- Y.C. Shen, J.J. Wierer, M.R. Krames, M.J. Ludowise, M.S. Misra, F. Ahmed, A.V. Kim, G.O. Mueller, J.C. Bhat, S.A. Stockman, P.S. Martin. Appl. Phys. Lett., 82, 2221 (2003)
- J.J. Wierer, M.R. Krames, J.E. Epler, N.F. Gardner, M.G. Craford, J.R. Wendt, J.A. Simmons, M. Sigalas. Appl. Phys. Lett., 84, 3885 (2004)
- J.J. Wierer, D.A. Steigerwald, M.R. Krames, J.J. O'Shea, M.J. Ludowise, G. Christenson, Y.-C. Shen, C. Lowery, P.S. Martin, S. Subramanya, W. Gotz, N.F. Gardner, R.S. Kern, S.A. Stockman. Appl. Phys. Lett., 78, 3379 (2001)
- Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, И.В. Рожанский, С.А. Гуревич, М.М. Кулагина, Е.М. Аракчеева, Г.А. Онушкин, А.Л. Закгейм, Е.Д. Васильева, Г.В. Иткинсон. ФТП, 39 (7), 885 (2005)
- V.A. Zabelin, D.A. Zakheim, S.A. Gurevich. IEEE J. Quant. Electron., 40 (12), 1675 (2004)
- W.S. Wong, T. Sands, N.W. Cheung, M. Kneissl, D.P. Bour, P. Mei, L.T. Tomano, N.M. Johnson. Appl. Phys. Lett., 75 (10), 1360 (1999)
- J. Xu, R. Zhang, Y.P. Wang, X.Q. Xiu, B. Shen, S.L. Gu, Y. Shi, Z.G. Liu, Y.D. Zheng. Mater. Lett., 56, 43 (2002)
- T. Ueda, M. Ishida, M. Yuri. Appl. Surf. Sci., 216, 512 (2003)
- W.S. Wonga, T. Sands, N.W. Cheung, M. Kneissl, D.P. Bour, P. Mei, L.T. Romano, N.M. Johnson. Appl. Phys. Lett., 75, 1360 (1999)
- M.S. Minsky, M. White, E.L. Hu. Appl. Phys. Lett., 68, 1531 (1996)
- Y. Gao, M.D. Craven, J.S. Speck, S.P. DenBaars, E.L. Hu. Appl. Phys. Lett., 84, 3322 (2004)
- D.W. Kim, H.Y. Lee, M.C. Yoo, G.Y. Yeom. Appl. Phys. Lett., 86, 052 108 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
