"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Синие флип-чип светодиоды на основе AlGaInN с удаленной сапфировой подложкой
Смирнова И.П.1, Марков Л.К.1, Закгейм Д.А.1, Аракчеева Е.М.1, Рымалис М.Р.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 февраля 2006 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2006 г.

Рассматриваются характеристики светодиодов на основе AlGaInN c удаленной сапфировой подложкой. Для удаления подложки применялся метод лазерного отделения (lift-off). Подложка удалялась с готового светодиодного кристалла, смонтированного методом флип-чип на кремниевой плате. С целью увеличения эффективности вывода света на поверхности n-GaN был создан рассеивающий рельеф методом реактивного ионного травления в газовой смеси Cl2:Ar. В результате этой операции было достигнуто увеличение внешней квантовой эффективности светодиодного кристалла на 25-30%. Светодиоды, изготовленные из кристаллов, полученных описанным способом, устойчиво работают в диапазоне токов накачки до 300 мА, достигая оптической мощности 110 мВт. PACS: 85.60.Jb, 85.40.Ls
  1. M. Yamada, T. Mitani, Y. Narukawa, S. Shioji, I. Niki, S. Sonobe, K. Deguchi, M. Sano, T. Mukai. Jap. J. Appl. Phys., 41, L1431 (2002)
  2. T. Fujii, Y. Gao, R. Sharma, E.L. Hu, S.P. DenBaars, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett., 84, 855 (2004)
  3. Y.C. Shen, J.J. Wierer, M.R. Krames, M.J. Ludowise, M.S. Misra, F. Ahmed, A.V. Kim, G.O. Mueller, J.C. Bhat, S.A. Stockman, P.S. Martin. Appl. Phys. Lett., 82, 2221 (2003)
  4. J.J. Wierer, M.R. Krames, J.E. Epler, N.F. Gardner, M.G. Craford, J.R. Wendt, J.A. Simmons, M. Sigalas. Appl. Phys. Lett., 84, 3885 (2004)
  5. J.J. Wierer, D.A. Steigerwald, M.R. Krames, J.J. O'Shea, M.J. Ludowise, G. Christenson, Y.-C. Shen, C. Lowery, P.S. Martin, S. Subramanya, W. Gotz, N.F. Gardner, R.S. Kern, S.A. Stockman. Appl. Phys. Lett., 78, 3379 (2001)
  6. Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, И.В. Рожанский, С.А. Гуревич, М.М. Кулагина, Е.М. Аракчеева, Г.А. Онушкин, А.Л. Закгейм, Е.Д. Васильева, Г.В. Иткинсон. ФТП, 39 (7), 885 (2005)
  7. V.A. Zabelin, D.A. Zakheim, S.A. Gurevich. IEEE J. Quant. Electron., 40 (12), 1675 (2004)
  8. W.S. Wong, T. Sands, N.W. Cheung, M. Kneissl, D.P. Bour, P. Mei, L.T. Tomano, N.M. Johnson. Appl. Phys. Lett., 75 (10), 1360 (1999)
  9. J. Xu, R. Zhang, Y.P. Wang, X.Q. Xiu, B. Shen, S.L. Gu, Y. Shi, Z.G. Liu, Y.D. Zheng. Mater. Lett., 56, 43 (2002)
  10. T. Ueda, M. Ishida, M. Yuri. Appl. Surf. Sci., 216, 512 (2003)
  11. W.S. Wonga, T. Sands, N.W. Cheung, M. Kneissl, D.P. Bour, P. Mei, L.T. Romano, N.M. Johnson. Appl. Phys. Lett., 75, 1360 (1999)
  12. M.S. Minsky, M. White, E.L. Hu. Appl. Phys. Lett., 68, 1531 (1996)
  13. Y. Gao, M.D. Craven, J.S. Speck, S.P. DenBaars, E.L. Hu. Appl. Phys. Lett., 84, 3322 (2004)
  14. D.W. Kim, H.Y. Lee, M.C. Yoo, G.Y. Yeom. Appl. Phys. Lett., 86, 052 108 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.