Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Тестирование диэлектрических покрытий для исследований элементарных флуктуаций заряда методами сканирующей кельвин-зонд микроскопии
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: vdrodin@stud.etu.ru
Поступила в редакцию: 5 мая 2025 г.
В окончательной редакции: 24 июня 2025 г.
Принята к печати: 18 сентября 2025 г.
Выставление онлайн: 13 октября 2025 г.
Используя метод сканирующей зондовой микроскопии, исследованы рельеф и вариации поверхностного потенциала у диэлектрических покрытий MgF2, SiNx, SiO2, полученных соответственно методами термического испарения, плазмоактивированного химического осаждения и термического окисления кремния. По сравнению с первыми двумя покрытиями пространственные флуктуации объемного заряда у SiO2-покрытия минимальны. Это позволило, исследуя методом сканирующей кельвин-зонд микроскопии значения электрического потенциала Au-наночастиц на таком покрытии, продемонстрировать возможность регистрации одноэлектронных скачков заряда на наночастицах. Ключевые слова: сканирующая кельвин-зонд микроскопия, закон квантования электрического заряда.
- D.C. Tsui, H.L. Stormer, A.C. Gossard. Phys. Rev. Lett., 48, 1559 (1982)
- J. Martin, S. Ilani, B. Verdene, J. Smet, V. Umansky, D. Mahalu, D. Schuh, G. Abstreiter, A. Yacoby. Science, 305, 980 (2004)
- A.M. Mintairov, V.Yu. Axenov, D.V. Lebedev, A.S. Vlasov, A.S. Frolov, E.V. Ponamarev, V.S. Stolyarov. Phys. Rev. B, 111 (4), \#0454102025 (2025)
- F. Ehrenhaft. Anzeiger Acad. Weiss (Vienna), 110, 118 (1910)
- R.S. Bonilla, B. Hoex, P.R. Wilsham. Phys. Status Solidi A, 214 (7), 1700293 (2017)
- S.P. Muduli, P. Kale. Mater. Sci. Semicond. Process., 154, 107202 (2023)
- A. Tekiel, Y. Miyahara, J.M. Topple, P. Grutter. ACS Nano, 7 (5), 4683 (2013)
- Y. Zhang, O. Pluchery, L. Caillard, A.-F. Lamic-Humblot, S. Casale, Y.J. Chabal, M. Salmeron. Nano Lett., 15, 51 (2015)
- Y. Abbas, M. Rezeq, A. Nayfeh, I. Saadat. Appl. Phys. Lett., 119, 162103 (2021)
- B. Chatelain, A.E. Barraj, C. Badie, L. Santinacci, C. Barth. New J. Phys., 23, 123009 (2021)
- Общий курс физики. Учеб. пособие для вузов. В 5 т. Т. 3. Электричество, под ред. Д.В. Сивухина (М., Физматлит, 2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
