Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование естественного окисла на зеркалах лазерных гетероструктур в системе GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb в местах выхода слоев с высоким содержанием Al

Дементьев П.А.¹, Дунаевский М.С.¹, Макаренко И.В.¹, Петров В.Н.¹, Титков А.Н.¹, Baranov A.N.², Yarekha D.A.², Laiho R.³

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²CEM2, Universite de Montpellier II, Montpellier, France
³Wihuri Physical Laboratory, Turku University, FIN Turku, Finland

Поступила в редакцию: 3 марта 2006 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано развитие в атмосферных условиях естественного окисла на зеркалах лазерных гетероструктур GaSb/GaInAsSb/Ga_0.1Al_0.9As_0.93Sb_0.07 в местах выхода на поверхность зеркал слоев с высоким содержанием Al. С этой целью методами сканирующей зондовой микроскопии изучалось изменение со временем топографии лазерных зеркал, полученных скалыванием гетероструктур в атмосферных условиях, а также в сверхвысоком вакууме. Было отслежено окисление слоев Ga_0.1Al_0.9As_0.93Sb_0.07 на поверхности зеркал на протяжении более года и показана длительность развития окисла в течение нескольких месяцев, однако с наступающим затем насыщением при толщине окисла на уровне одного микрона. Естественное окисление протекает с увеличением объема окисляемого слоя, что вызывает его возвышение над поверхностью лазерного зеркала примерно на треть полной толщины развивающегося окисла. Исследования в вакууме позволили исключить предполагавшееся ранее проявление здесь эффекта пластического вытягивания слоев с высоким содержанием Al над поверхностью скола в момент скола. На начальной стадии окисления возвышение окисла над поверхностью имеет необычную вогнутую область в верхней части, исчезающую по мере развития окисла. Предложено объяснение наблюдаемой трансформации формы окисла, предполагающее изменение химического состава окисла по мере увеличения его толщины. PACS: 68.65.FG, 81.05.Ea, 81.65.Mq, 68.37.Ps

D.A. Yarekha, A. Baranov. Electron. Lett., 36, 537 (2000)
C. Sirtori, J. Nagle. Physique, 4, 639 (2003)
R. Teissier. Appl. Phys. Lett., 85, 167 (2004)
J.M. Dallesasse, N. Holonyak, A.R. Sugg, T.A. Richard, N. El-Zein. Appl. Phys. Lett., 57, 2844 (1990)
A.R. Sugg, N. Holonyak, Jr., J.E. Baker, F.A. Kish, J.M. Dallesasse. Appl. Phys. Lett., 58, 1199 (1991)
H. Nickel. J. Appl. Phys., 78, 5201 (1995)
C.I.H. Ashby, J.P. Sullivan, K.D. Choquette, K.M. Geib. J. Appl. Phys., 82, 3134 (1997)
J.M. Dallesasse, P. Gavrilovic, N. Holonyak, Jr., D.W. Nam, E.J. Vesely. Appl. Phys. Lett., 56, 2436 (1990)
D.A. Kellogg, N. Holonyak, Jr., R.D. Dupuis. J. Appl. Phys., 77, 1608 (2000)
W. Narwaski, M. Wasiak, W. Bedyk, A. Passaseo, V. Tasco, M.T. Todaro, R. Joray, J.X. Chen, R.P. Stanley, A. Fiore. Semicond. Sci. Technol., 19, 333 (2004)
T.A. Richard, N. Holonyak, Jr., F.A. Kish, M.R. Keever, C. Lei. Appl. Phys. Lett., 66, 2972 (1995)
B.P. Tinkham, R.D. Dupuis. J. Appl. Phys., 87, 203 (2000)
A.L. Holmes, M.R. Islam, R.V. Chelakara, F.J. Cuiba, R.D. Dupuis, M.J. Ries, E.I. Chen, S.A. Maranowski, N. Holonyak, Jr. Appl. Phys. Lett., 66, 2831 (1995)
M.H. MacDougal, P.D. Dapkus, V. Pudikov, H. Zhao, G.M. Yang. IEEE Phot. Techn. Lett., 7, 229 (1995)
N. Ohnoki, F. Koyama, K. Iga. Appl. Phys. Lett., 73, 3262 (1998)
R.D. Twesten, D.M. Follstaedt, K.D. Choquette, R.P. Schneider, Jr. Appl. Phys. Lett., 69, 19 (1996)
T. Takamori, K. Takemasa, T. Kamijoh. Appl. Phys. Lett., 69, 659 (1996)
S. Guha, F. Agahi, B. Pezeshki, J.A. Kash, D.W. Kisker, N.A. Bojarczuk. Appl. Phys. Lett., 68, 906 (1996)
А.В. Анкудинов, В.М. Улин, В.П. Евтихиев, А.Н. Титков. ФТП, 33, 594 (1999)
M.R. Castell, A. Howie, D.A. Ritchie. Acta Mater., 46, 579 (1998)
Ph. Leveque, P. Girard. Appl. Surf. Sci., 157, 251 (2003)
U. Rabe, K. Janser, W. Arnold. Rev. Sci. Instrum., 67, 3281 (1996)
М.С. Дунаевский, J.J. Grob, А.Г. Забродский, R. Laiho, А.Н. Титков. ФТП, 38, 1294 (2004)
B. Koley, M. Dagenais, R. Jin, G. McLane, F. Johnson, R. Whaley, Jr. J. Appl. Phys., 84, 600 (1998)
A.E. Efimov, S.A. Saunin. Proc. Int. Workshop on Scanning Probe Microscopy (Nizhny Novgorod, March 3--6, 2002), 79--81
L.J. Chou, K.C. Hsieh, D.E. Wohlert, K.Y. Cheng, N. Finnegan. Appl. Phys. Lett., 84, 6932 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель