"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Концентрационно-упругие неустойчивости распределения ионов и нейтральных частиц в изолирующем слое на поверхности полупроводника
Гольдман Е.И.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 10 октября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.

В диэлектрических пленках, изолирующих полупроводник от металлического электрода, присутствуют подвижные примеси в виде ионов и нейтральных образований. При достаточно высоких температурах и поляризующих электрических полях примеси концентрируются у границы раздела изолятор-полупроводник, где обмениваются электронами с полупроводником. Показано, что парное взаимодействие частиц через поле упругих напряжений, связанных с концентрационным расширением изолятора, может приводить к неустойчивости однородного вдоль контакта распределения примеси. В растворе точечных дефектов возникает стационарное мелкомасштабное упорядочение частиц вдоль контакта изолятора с полупроводником, что сопровождается кольцевыми потоками частиц. PACS: 68.55.Ln, 73.20.Hb, 73.40.Qv
  1. А.Г. Хачатурян. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов (М.: Наука, 1974)
  2. J.P. Ipatova, V.G. Malyshkin, V.A. Shchukin. J. Appl. Phys., 74, 7198 (1993)
  3. Г.Н. Гайдуков, Б.Я. Лобов. ФТТ, 21, 1701 (1979)
  4. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 33, 933 (1999)
  5. E.I. Goldman, A.G. Zhdan, G.V. Chucheva. J. Appl. Phys., 89, 130 (2001)
  6. A.L. Roitburd. Sol. St. Phys., 33, 317 (1978)
  7. Е.И. Гольдман. ФТП, 34, 984 (2000)
  8. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Статистическая физика (М., Наука, 1976) ч. 1, с. 315
  9. М.В. Федорюк. Метод перевала (М., Наука, 1977)
  10. T. Hino, K. Yamashita. J. Appl. Phys., 50, 4879 (1979)
  11. D.J. DiMaria. J. Appl. Phys., 52, 7251 (1981)
  12. Под ред. М.П. Шаскольской. Акустические кристаллы (М., Наука, 1982)
  13. А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO-=SUP=--=/SUP=--=SUB=-2-=/SUB=- на кремнии (Изд-во ЛГУ, 1988) с. 55
  14. А.Г. Ждан, Ю.В. Маркин, А.М. Сумарока. Микроэлектроника, 22, 54 (1993)
  15. Е.И. Гольдман. ФТП, 27, 269 (1993)
  16. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.М. Сумарока. Письма ЖЭТФ, 57 (12), 783 (1993)
  17. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.Н. Пономарев. ФТП, 28, 1947 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.