"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние уровней собственных дефектов в запрещенной зоне CdP2 на электрические свойства структур с барьером Шоттки на его основе
Стамов И.Г.1, Ткаченко Д.В.1
1Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Тирасполь, Молдова
Поступила в редакцию: 18 января 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.

Исследованы электрические характеристики барьеров Шоттки на электронном дифосфиде кадмия. Установлено, что область объемного заряда является слоем Шоттки и образуется большой концентрацией глубоких центров. Перенос заряда в прямом направлении в таких структурах связан с надбарьерной эмиссией электронов и описывается диффузионной теорией для одного или двух типов носителей заряда. Большая концентрация ионизованных центров в области объемного заряда приводит к туннельному механизму пробоя в обратном направлении. Частотные зависимости комплексной проводимости определяются обменом носителями заряда между зоной проводимости и донором, определяющим тип проводимости материала, а также перезарядкой центров с большей энергией залегания. Получено хорошее согласие рассматриваемых явлений с теорией. PACS: 71.55.Gs, 72.30.+q, 72.80.Ey, 73.20.At, 72.30.+q, 73.30.+y
  1. В.С. Коваль, А.В. Любченко, И.В. Потыкевич, А.В. Федоров. ФТП, 10, 41 (1976)
  2. В.С. Вавилов, В.С. Коваль, В.Г. Негрий, И.В. Потыкевич. ФТП, 6, 281 (1972)
  3. А.Ю. Камерцель, Г.А. Кудинцева, И.Г. Стамов, Н.Н. Сырбу. ФТП, 19, 28 (1985)
  4. В.И. Стриха. Теоретические основы работы контакта металл--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1974)
  5. С.И. Берил, А.С. Старчук. Вестн. МГУ. Сер. 3, Физика, астрономия, N 5, 46 (2002)
  6. В.Н. Абакумов, В.П. Карпус, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ФТП, 30, 2498 (1982)
  7. О.В. Курносова, И.Н. Яссиевич. ФТП, 26, 3307 (1984)
  8. А.Н. Король, В.И. Стриха, Д.И. Шека. ФТП, 14, 1180 (1980)
  9. В.Ф. Баранов, И.Г. Стамов. ЖПС, 29, 154 (1986)
  10. N.T. Bagraev, V.A. Mashkov. Sol. St. Commun., 51, (7), 515 (1984)
  11. N.T. Bagraev. Sol. St. Commun., 95 (6), 365 (1995)
  12. Н.Т. Баграев. ЖЭТФ, 100 (4), 1378 (1991)
  13. Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
  14. E. Schibli, A.G. Milnes. Sol. St. Electron., 11, 323 (1968)
  15. А.С. Шеулин, А.К. Купчиков, А.Е. Андервакс, А.И. Рыскин. ФТП, 38, 72 (2004)
  16. С.Ф. Маренкин, А.М. Раухман, Д.П. Пищиков, В.Б. Лазарев. Изв. вузов. Неорг. матер., 28, 1813 (1992)
  17. И.Г. Стамов, Д.В. Ткаченко. Матер. 2-й Межд. конф. по физике электронных материалов (Калуга, Россия, 2005) т. 1, с. 161

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.