"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Магнитное упорядочение в кристаллическом Si, имплантированном ионами Co промежуточных флюенсов
Поклонский Н.А.1, Лапчук Н.М.1, Коробко А.О.1
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Поступила в редакцию: 6 февраля 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.

Исследовался кристаллический Si, имплантированный ионами кобальта (флюенс Phi=1014-1016 см-2) с энергией 380 кэВ. Методом резерфордовского обратного рассеяния определен порог аморфизации Si (Phi= 3· 1014 см-2). При температуре T=78 K в имплантированном Co+ кремнии для Phi>=q3·1014 см-2 зарегистрирована квазирезонансная анизотропная линия электронного парамагнитного резонанса шириной порядка 170 мТл. На фоне этой линии наблюдался резонансный сигнал парамагнитных центров аморфных областей Si (g=2.0057, delta B=0.74 мТл). Квазирезонансная линия электронного парамагнитного резонанса от атомов Co и собственных дефектов Si при T=300 K не наблюдалась. PACS: 61.72.Hh, 61.72.Tt, 76.30.Lh, 81.05.Cy, 81.40.Rs
  1. Б.П. Захарченя, В.Л. Коренев. УФН, 175 (6), 629 (2005)
  2. С.А. Гусев, Ю.Н. Ноздрин, М.В. Сапожников, А.А. Фраерман. УФН, 70 (3), 331 (2000)
  3. Zh. Tan, F. Namavar, J.I. Budnick, F.H. Sanchez, A. Fasihuddin, S.M. Heald, C.E. Bouldin, J.C. Woicik. Phys. Rev. B, 46 (7), 4077 (1992)
  4. Zh. Tan, J.I. Budnick, F.H. Sanchez, G. Tourillov, F. Namavar, H.C. Hayden. Phys. Rev. B, 40 (9), 6368 (1989)
  5. A.E. White, K.T. Short, R.C. Dynes, J.P. Garno, J.M. Gibson. Appl. Phys. Lett., 50 (2), 95 (1987)
  6. A.P. Knights, G.R. Carlow, M. Zinke-Allmang, P.J. Simpson. Phys. Rev. B, 54 (19), 13 955 (1996)
  7. C. Choi, S. Chang, Y. Ok, T. Seong, H. Gan, G. Pan, K. Tu. J. Electron. Mater., 32 (10), 1072 (2003)
  8. M.A. Harry, G. Gurello, M.S. Finney, K.J. Reeson, B.J. Sealy. J. Phys. D: Appl. Phys., 29 (7), 1822 (1996)
  9. L.J. Chen, K.N. Tu. Mater. Sci. Rep., 6, 53 (1991)
  10. P. Murarka. Silicides for VLSI Applications (Academic, N. Y., 1983) p. 30
  11. Ф.Ф. Комаров, А.П. Новиков, В.С. Соловьев, С.Ю. Ширяев. Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии (Минск, Университетское, 1990)
  12. В.Б. Гусева, А.Ф. Зацепин, В.А. Важенин, B. Schmidt, Н.В. Гаврилов, С.О. Чолах. ФТТ, 47 (4), 650 (2005)
  13. М.В. Власова, Н.Г. Каказей, А.М. Калиниченко, А.С. Литовченко. Радиоспектроскопические свойства неорганических материалов. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
  14. С.И. Рембеза. Парамагнитный резонанс в полупроводниках (М., Металлургия, 1988)
  15. Н.А. Поклонский, Т.М. Лапчук, Н.И. Горбачук. ЖПС, 68 (4), 419 (2001)
  16. Н.А. Поклонский, Т.М. Лапчук, А.О. Коробко. Тез. докл. Межд. науч. конф. "Актуальные проблемы физики твердого тела", Минск, 4--6 ноября 2003 г. (ИФТТП НАНБ, Минск, 2003) с. 44
  17. N.A. Sobolev, M.A. Oliveira, V.S. Amaral, A. Neves, M.C. Carmo, W. Wesch, O. Picht, E. Wendler, U. Kaiser, J. Heindrich. Mater. Sci. Eng. B, 126, 148 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.