Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Спектрометрические свойства SiC-детекторов на основе ионно-легированных p+-n-переходов
Калинина Е.В.1, Коссов В.Г.2, Строкан Н.Б.1, Иванов А.М.1, Яфаев Р.Р.2, Холуянов Г.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Электрон Оптроник, Санкт-Петербург, Россия
2Электрон Оптроник, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 декабря 2005 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2006 г.
Впервые представлены результаты исследований, выполненных в спектрометрическом режиме, детекторов ядерных излучений, изготовленных на основе p+-n-переходов, сформированных в пленках 4H-SiC. Переходы создавались ионным легированием алюминием эпитаксиальных слоев 4H-SiC толщиной 26 мкм, выращенных методом газофазной эпитаксии с концентрацией нескомпенсированных доноров (3-5)·1015 см-3. Характеристики детекторов определялись при тестировании alpha-частицами естественного распада с энергиями 3.35 и 5.4 МэВ. Эффективность собирания заряда, созданного alpha-частицами с энергией 3.35 МэВ, достигала 100%, при этом разрешение по энергии составляло =<sssim2%. PACS: 85.30.De, 85.30.Kk, 72.70.+m, 29.40.Wk.
- И.М. Розман, К.Г. Циммер. Атом. энергия, 1, 54 (1957)
- L.W. Aukerman, H.C. Gorton, R.K. Willardson, V.E. Bryson. Silicon Carbide, ed. by J.R. O'Connor, J. Smiltens (Pergamon, Oxford, 1959)
- P.C. Capera, P. Malinaric, R.B. Campbell, J. Ostroski. IEEE Trans. Nucl. Sci. June, 262 (1964)
- В.Д. Безуглый, Л.Л. Нагорная. Атом. энергия, 17, 67 (1964)
- Г.Ф. Холуянов, Б.В. Гавриловский. ФТП, 2 (4), 573 (1968)
- А.М. Иванов, Е.В. Калинина, А.О. Константинов, Г.А. Онушкин, Н.Б. Строкан, Г.Ф. Холуянов, A. Hallen. Письма ЖТФ, 30 (14), 1 (2004)
- Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, Г.А. Онушкин, Д.В. Давыдов, Г.Н. Виолина. ФТП, 39 (3), 382 (2005)
- В.А. Тихомирова, О.П. Федосеева, Г.Ф. Холуянов. Атом. энергия, 34, 122 (1973)
- Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, М.Е. Бойко, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук, А.А. Лебедев, Р. Якимова. ФТП, 39 (3), 65 (2003)
- E. Kalinina, G. Kholujanov, V. Solov'ev, A. Strel'chuk, A. Zubrilov, V. Kossov, R. Yafaev, A.P. Kovarski, A. Hallen, A. Konstantinov, S. Karlsson, C. Ad s, S. Rendakova, V. Dmitriev. Appl. Phys. Lett., 77 (19), 3051 (2000)
- F. Moscatelli, A. Scorzoni, A. Poggi, Mara Bruzzi, S. Lagomarsino, S. Mersi, S. Sciortino, M. Lazar, A. Di Plasido, R. Nipoti. Mater. Sci. Forum, 483--485, 1021 (2005)
- Г.Н. Виолина, Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, В.Г. Косов, Р.Р. Яфаев, А. Халлен, А.О. Константинов. ФТП, 36 (6), 750 (2002)
- A. Ivanov, E. Kalinina, G. Kholuyanov, N. Strokan, G. Onushkin, A. Konstantinov, A. Hallen, A. Kuznetsov. Mater. Sci. Forum, 438--485, 1029 (2005)
- Ion Implantation. Science and Technology, ed. by J.F. Ziegler (Acad. Press. Inc., 1985)
- E. Kalinina, G. Kholujanov, A. Sitnikova, V. Kossov, R. Yafaev, G. Pensl, S. Reshanov, A. Hallen, A. Konstantinov. Mater. Sci. Forum, 433--436, 637 (2003)
- Н.Б. Строкан. Письма ЖТФ, 24 (5), 44 (1998).
- Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, А.А. Лебедев, M. Syvajarvi, R. Yakimova. ФТП, 39 (12), 1443 (2005)
- А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ЖТФ, 70, 139 (2000)
- А.М. Стрельчук. ФТП, 29 (7), 614 (1995).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
