"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Радиационно-стимулированная релаксация внутренних механических напряжений в гомоэпитаксиальных пленках фосфида галлия
Генцарь П.А.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 19 декабря 2005 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2006 г.

Методом электроотражения исследованы электронные переходы E0, E0+Delta0 в гомоэпитаксиальных пленках n-GaP (111) с концентрацией электронов 5.7·1023 м-3 до и после облучения gamma-квантами 60Co в интервале доз 105-106 рад при комнатной температуре с использованием электролитической методики. Наблюдалось расщепление низкоэнергетического экстремума после облучения. Уменьшение внутренних механических напряжений в пленке под действием gamma-облучения оценивалось по изменению энергии электронного перехода и столкновительного параметра уширения. Оценено также увеличение времени энергетической релаксации носителей заряда после облучения. PACS: 61.80.Ed, 71.70.Ej, 78.20.Jq, 81.40.Wx
  1. Е.Ф. Венгер, Л.А. Матвеева. Неорг. матер., 33 (2), 153 (1997)
  2. Ю.А. Тхорик. Структурная релаксация в полупроводниковых кристаллах и приборных структурах (Киев, Наук. думка, 1994)
  3. О.Ю. Борковская, С.А. Груша, Н.Л. Дмитрук и др. ЖТФ, 55 (10), 1977 (1985)
  4. В.А. Тягай, О.В. Снитко. Электроотражение света в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1980)
  5. П. Ю, М. Кардона. Основы физики полупроводников (М., Физматлит, 2002)
  6. M. Cardona, K.L. Shaklee, F.H. Pollak. Phys. Rev., 154 (3), 696 (1967)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.