Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Магнетополевая характеризация физических свойств двумерного электронного газа нитридных транзисторных гетероструктур с высокой подвижностью электронов
Российский научный фонд, Физические свойства двумерного электронного газа гетероструктур GaN/AlGaN на подложках кремния, 23-29-00536
Нет, нет, нет
Нет, нет, нет
Нет, нет, нет
Нет, нет, нет
Нет, нет, нет
Чумаков Н.К.
1,2, Андреев А.А.1, Белов И.В.
1, Гончаров Б.В.
1,2, Грищенко Ю.В.
1, Езубченко И.С.
1, Давыдов А.Б.
3, Занавескин М.Л.
1, Колобкова Е.М.
1, Моргун Л.A.3,4, Николаев С.Н.
1, Приходько К.Е.
1, Черных И.А.
1, Шабанов С.Ю.
1, В.Г.
1,2
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия 
2National Research Center “Kurchatov Institute”, Moscow, Russia
3Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
4P.N. Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia
2National Research Center “Kurchatov Institute”, Moscow, Russia
3Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
4P.N. Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia
Email: chumakov_nk@nrcki.ru, andreev_aa@nrcki.ru, belov_iv@nrcki.ru, goncharov_bv@nrcki.ru, grischenko_yv@nrcki.ru, ezubchenko_is@nrcki.ru, sanyadav@yandex.ru, zanaveskin_ml@nrcki.ru, kolobkova_em@nrcki.ru, morgunla@lebedev.ru, nikolaev_sn@nrcki.ru, prikhodko_ke@nrcki.ru, chernykh_ia@nrcki.ru, shabanov_sy@nrcki.ru, valeev_vg@nrcki.ru
Поступила в редакцию: 26 марта 2025 г.
В окончательной редакции: 23 июня 2025 г.
Принята к печати: 23 июня 2025 г.
Выставление онлайн: 29 июля 2025 г.
Анализ магнитополевой зависимости магнетосопротивления и осцилляций Шубникова-де Гааза позволяет определить концентрацию носителей заряда, а также транспортную и квантовую подвижности двумерного электронного газа в нитридных транзисторах с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур AlGaN/AlN/GaN в зависимости от температуры двумерного электронного газа и плотности электронов в нем. В отличие от стандартного холловского метода, требующего четырехконтактных измерений и дополнительных технологических процедур по созданию тестовых модулей, предложенная методика использует два контакта и позволяет сравнить параметры двумерного электронного газа в готовых транзисторах и в исходно синтезированных гетероструктурах. Ключевые слова: нитридные транзисторы с высокой подвижностью электронов, двумерный электронный газ, эффект Шубникова-де Гааза.
- A.F. Medjdoub, K. Iniewski (eds.). Gallium nitride (GaN): physics, devices, and technology (N. Y., CRC Press, 2016)
- D. Shoenberg. Magnetic Oscillations in Metals (Cambridge University Press, 2009)
- В.А. Кульбачинский. Физика наносистем (М., Физматлит, 2022), п. 5.1.1, с. 143
- A.V. Sakharov, D.S. Arteev, E.E. Zavarin, A.E. Nikolaev, W.V. Lundin, N.D. Prasolov, M.A. Yagovkina, A.F. Tsatsulnikov, S.D. Fedotov, E.M. Sokolov, V.N. Statsenko. Materials, 16, 4265 (2023). https://doi.org/10.3390/ma16124265
- L.L. Lev, I.O. Maiboroda, M.-A. Husanu, E.S. Grichuk, N.K. Chumakov, I.S. Ezubchenko, I.A. Chernykh, X. Wang, B. Tobler, T. Schmitt, M.L. Zanaveskin, V.G. Valeyev, V.N. Strocov. Nature Commun., 9 (1), 2653 (2018). https://doi.org/10.1038/s41467-018-04354-x
- N.K. Chumakov, A.A. Andreev, I.V. Belov, A.B. Davydov, I.S. Ezubchenko, L.L. Lev, L.A. Morgun, S.N. Nikolaev, I.A. Chernykh, S.Yu. Shabanov, V.N. Strocov, V.G. Valeyev. JETP Letters, 119 (8), 604 (2024). https://doi.org/10.1134/S0021364024600769
- A. Fowler, F. Fang, W. Howard, P.J. Stiles. Phys. Rev. Lett., 16 (20), 901 (1966). https://doi:10.1103/physrevlett.16.901
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
