Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние внутризонной электронной релаксации на пороговые характеристики лазеров на квантовых ямах

Костко И.А.¹, Гунько Н.А.¹, Баженов Н.Л.¹, Мынбаев К.Д.¹, Зегря Г.Г.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 19 июля 2005 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.

PDF версия

Исследовано влияние внутризонной релаксации носителей заряда на пороговые характеристики лазеров на квантовых ямах на основе InGaAsP. Исследована зависимость времени внутризонной дырочно-дырочной релаксакции tau_int от температуры и концентрации носителей. Показано, что учет конечного значения tau_int и его зависимости от температуры и концентрации носителей оказывает сильное влияние на величину коэффициента усиления и пороговой плотности тока в лазерах на квантовых ямах. PACS: 42.55.Ah, 42.55.Px, 78.67.De

M. Asada. IEEE J. Quant. Electron., QE-25, 2019 (1989)
Quantum Well Lasers, ed. by P. Zory (N.Y., Academic Press, 1993)
F. Jahnke, S. Koch. Phys. Rev. A, 52, 1712 (1995)
M. Asada, Y. Suematsu. IEEE J. Quant. Electron., QE-21, 434 (1985)
M. Yamada, Y. Suematsu. J. Appl. Phys., 52, 2653 (1981)
L.V. Asryan, N.A. Gun'ko, A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya, R.A. Suris, P.-K. Lau, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 15, 1131 (2000)
A.I. Fetter, I.D. Walecka. Quantum Theory of Many Particle Systems (N.Y., McGraw-Hill, 1971)
A. Polkovnikov, G. Zegrya. Phys. Rev. B, 64, 073 205 (2001)
G.G. Zegrya, A.S. Polkovnikov. ЖЭТФ, 113, 1491 (1998)
G.G. Zegrya, E.B. Dogonkin, A.S. Polkovnikov. Proc. Int. Semicond. Conf. (CAS'99) (Sinaia, 5--9 October, 1999) p. 351
А.А. Абрикосов, Л.П. Горьков, И.Е. Дзялошинский. Методы квантовой теории поля в статической физике (М., Гос. изд. физ.-мат. лит-ры, 1962)
Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, Г.Г. Зегря, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, И.Н. Яссиевич, Е.В. Берегулин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и размерно-квантовых структурах, под ред. В.И. Ильина, А.Я. Шика (СПб., Наука, 2001) гл. 2
T. Ando, A.B. Fowler, F. Stern. Rev. Mod. Phys., 54, 437 (1982)
S.-C. Lee, I. Galbraith. Phys. Rev. B, 59, 15 796 (1999)
S.-C. Lee, I. Galbraith. Phys. Rev. B, 62, 15 327 (2000)
F. Stern, W.E. Howard. Phys. Rev., 163, 816 (1967)
H. Ehrenreich, M.H. Cohen. Phys. Rev., 115, 786 (1959)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель